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公开(公告)号：CN105678278A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610069804.6
申请日：2016-02-01
Applicant: 国家电网公司 , 国网安徽省电力公司 , 福建亿榕信息技术有限公司
CPC classification number: G06K9/00624 , G06K9/36 , G06K9/6227
Abstract: 本发明提供一种基于单隐层神经网络的场景识别方法，其特征在于：包括训练阶段和识别阶段；所述训练阶段包括：对预先采集的用于训练的样本图像集进行预处理，提取预处理后的样本图像集的局部梯度统计特征，将所述局部梯度统计特征以及对应场景类别标签加入到单隐层神经网络分类器进行层级式监督学习，得到复数个不同的多类单隐层神经网络的最优参数，根据所述最优参数构建多层级场景分类器；所述识别阶段包括：对待识别的图像集进行预处理，提取预处理后的待识别图像集的局部梯度统计特征，将该局部梯度统计特征向量送入所述多层级场景分类器中进行识别，得到所属场景类的类别标注。本发明实现高精度场景识别。
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公开(公告)号：CN105047542B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN107483365A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710806493.1
申请日：2017-09-08
Applicant: 国网安徽省电力公司安庆供电公司 , 国家电网公司
IPC: H04L12/927
CPC classification number: H04L47/805
Abstract: 本发明公开了一种QoS驱动的电力通信网效用最大化资源分配方法，包括以下步骤：针对电力通信网资源分配问题,构建基于三方博弈的两阶段资源分配模型；底层网络服务商(InP)向资源分配中心上报资源供给信息；服务提供商(SP)向资源分配中心提出资源需求信息；资源分配中心为SP分配资源；资源分配中心检测InP的服务质量，当资源分配中心检测底层InP不能确保其上SP业务按QoS要求运行时，资源分配中心会对InP进行惩罚；资源分配中心计算InP的效用值，完成本次交易；各参与者等待进行下一轮资源竞争。本方法满足占优策略激励兼容特性，可以实现系统利润最大化的目标。
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公开(公告)号：CN105354352B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510624431.X
申请日：2015-09-25
Abstract: 本发明提供一种4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏8°；所述模型以计算机辅助构建而成，方法步骤简单易行，其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法；本发明的4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中，较通常使用的无偏角原子模型更接近于实际应用，研究结果与实际情况更接近，更具有参考价值。
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公开(公告)号：CN106611700A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L21/045
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105354352A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510624431.X
申请日：2015-09-25
CPC classification number: G06F17/5009 , G06T17/00
Abstract: 本发明提供一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏8°；所述模型以计算机辅助构建而成，方法步骤简单易行，其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法；本发明的4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中，较通常使用的无偏角原子模型更接近于实际应用，研究结果与实际情况更接近，更具有参考价值。
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公开(公告)号：CN105118786A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510559434.X
申请日：2015-09-06
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型碳化硅外延衬底；2)所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述导电沟道区域的电流上行侧和下行侧分别形成第一和第二杂质区域；4)制造初始栅极；5)氧化初始栅极形成栅极电介质层；6)于所述栅极电介质层上形成导电的栅电极；7)形成第一接触和栅极接触；8)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明方法避免了一次性形成较厚的栅极电介质层，改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，栅极电介质和沟道区域界面处形成的碳聚集，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN106611700B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105047542A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN207631313U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201721537882.0
申请日：2017-11-17
Applicant: 国网安徽省电力公司芜湖县供电公司 , 国家电网公司
Abstract: 本实用新型揭示了一种新型安全围栏手推车，手推车本体的车后端上部设有扶手，车后端下部的小车两侧对称设有后轮，每个所述后轮由三个滚轮构成，每个所述后轮的三个滚轮设有轮架，三个所述轮架均固定在各自的减震器上，三个所述减震器等夹角固定在三脚架上，所述三脚架的中心位置设有转轴，所述转轴固定在手推车本体上。本实用新型的优点在于具有重量轻、障碍跨越、楼梯攀爬便捷的特点，减少了安全围栏运输的时间，同时具有极佳的减震能力，降低了作业的安全隐患。
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