磺化石墨烯的制备方法及其检测重金属离子的方法

    公开(公告)号:CN106145100B

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201610516128.2

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明公开了磺化石墨烯的制备方法及其检测重金属离子的方法,包括:通过将氧化石墨烯超声分散到三氯甲烷溶液中,得到氧化石墨烯分散液;在所述氧化石墨烯分散液中添加氯磺酸或浓硫酸,回流冷却干燥得到磺化氧化石墨烯;对所述磺化氧化石墨烯进行辐照处理后得到磺化石墨烯,在室温下就能够实现磺化石墨烯的制备工作,且制备时间较短,能够有效解决了现有技术中的制备石墨烯复杂工艺的问题,实现石墨烯在室温的条件下高效制备,促进了石墨烯工业化的生产。

    一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列

    公开(公告)号:CN102142462B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201110046602.7

    申请日:2011-02-25

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种功率MOS晶体管,属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构,栅结构的具体设计为:以版图几何中心为圆心作圆,分别制作两个十六边八角图形;这两个十六边八角图形的边相互平行,边与边之间间隙构成一八角形的弯折带,该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下,缩小了源级到栅结构的距离,得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。

    一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列

    公开(公告)号:CN102142462A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110046602.7

    申请日:2011-02-25

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种功率MOS晶体管,属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构,栅结构的具体设计为:以版图几何中心为圆心作圆,分别制作两个十六边八角图形;这两个十六边八角图形的边相互平行,边与边之间间隙构成一八角形的弯折带,该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下,缩小了源级到栅结构的距离,得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。

Patent Agency Ranking