公开(公告)号：CN106575556A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580044078.6

申请日：2015-08-18

Applicant: 因太金属株式会社

Inventor： 宇根康裕 ,  久保博一 ,  佐川真人 ,  杉本谕 ,  松浦昌志 ,  中村通秀

IPC: H01F1/057 ,  B22F3/02 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  C22C38/00

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F3/02 ,  B22F3/16 ,  B22F9/023 ,  B22F2009/042 ,  B22F2009/044 ,  B22F2301/355 ,  B22F2304/05 ,  B22F2998/10 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  H01F1/0573 ,  H01F41/0266 ,  H02K1/02

Abstract: 本发明的课题在于，提供：实质上不含有重稀土元素RH(Dy、Tb和Ho)、且适于使用中温度上升的用途的RFeB系烧结磁体。本发明的RFeB系烧结磁体除了含有Fe和B以外，还含有作为稀土元素R的Nd和Pr中的至少1种，而不含有Dy、Tb和Ho，使用温度为23℃时的矫顽力的值Hcj(23)和温度为100℃时的矫顽力的值Hcj(100)，定义成FF的温度特性值t(100‑23)为0.58

公开(公告)号：CN107112125A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680005275.1

申请日：2016-01-08

Applicant: 因太金属株式会社

Inventor： 佐川真人 ,  宇根康裕 ,  久保博一 ,  杉本谕 ,  松浦昌志 ,  中村通秀

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057

CPC classification number: H01F41/0266 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/044 ,  B22F2202/05 ,  C22C28/00 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/057 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明的RFeB系烧结磁体制造方法具有如下工序：工序S1，将稀土元素R的含有率为26.5～29.5重量％的RFeB系合金块在700～1000℃温度的氢气氛中加热后，一边维持在750～900℃的温度一边在真空中进行HDDR处理，由此制作包含平均粒径为1μm以下的晶粒的多晶体的HDDR后原料合金块，所述平均粒径通过由电子显微镜图像求出的圆当量直径而得到；工序S2，在使HDDR后原料合金块与包含第2合金的接触物接触的状态下加热到700～950℃的温度，由此制作稀土含量高的原料合金块，所述第2合金的稀土元素R含有率高于所述RFeB系合金；工序S3，将稀土含量高的原料合金块微粉碎成平均粒径为1μm以下，由此制作原料合金粉末；取向工序S4，在模具中容纳原料合金粉末，不进行压缩成形地对该原料合金粉末施加磁场；烧结工序S5，将取向工序后的原料合金粉末加热到850～1050℃的温度。

公开(公告)号：CN105190802A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480014387.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 因太金属株式会社

Inventor： 宇根康裕 ,  久保博一 ,  佐川真人 ,  杉本谕 ,  松浦昌志 ,  中村通秀

IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  B22F9/04 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F1/0044 ,  B22F3/10 ,  B22F9/023 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/048 ,  B22F2202/05 ,  B22F2999/00 ,  C22C33/02 ,  C22C33/0207 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F41/0253 ,  B22F1/0018

Abstract: 本发明目的在于提供一种以高取向度制造主相晶粒的粒径为1μm以下且粒度分布的均匀性高的RFeB系烧结磁体的方法。一种RFeB系烧结磁体制造方法，其中，使用RFeB系合金的粉末，制作利用磁场进行了取向的有形体，并进行烧结，所述RFeB系合金的粉末是将内部形成有RFeB系晶粒的晶粒微细化粗粉粒进行粉碎而得到的、由显微镜图像以圆当量直径进行分析得到的粒度分布的平均值为1μm以下的粉末，以面积比计前述晶粒的90％以上处于相互分离的状态，所述RFeB系晶粒的根据由显微镜图像求出的圆当量直径得到的粒度分布的平均值为1μm以下。该合金粉末由于晶粒彼此分离，因此制造高取向度的RFeB系烧结磁体成为可能。