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公开(公告)号：CN119789671A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411949061.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池包括由下到上依次层叠设置的导电衬底、空穴传输层、埋底界面修饰层、宽带隙钙钛矿吸收层、后界面修饰层、电子传输层、缓冲层及金属电极层；埋底界面修饰层的材质为酰胺肟类化合物。本发明还包括埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池的制备方法。本发明制备的埋底界面修饰的宽带隙钙钛矿太阳电池空穴传输层/宽带隙钙钛矿吸收层界面缺陷少，在非辐射损耗和电荷转移损耗方面表现良好，且具有较高的光电转化效率，应用前景广泛。
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