公开(公告)号：CN116532138A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202211639026.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 嘉兴学院

Inventor： 李雷 ,  严文思 ,  马惠 ,  宋利 ,  洪哲 ,  杨震玉

IPC: B01J27/19 ,  C25B1/04 ,  C25B1/50 ,  C25B11/091 ,  H01M4/90

Abstract: 本发明属于HER材料领域，具体涉及一种P‑Se双空位MoP/MoSe2异质结材料，包括Se空位的MoSe2纳米片以及复合在其表面的具有P空位的MoP纳米片，且二者的复合界面具有异质结结构。本发明还包括所述的材料的制备方法和应用。本发明所述的材料具有优异的HER性能。

公开(公告)号：CN115959640A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211559363.X

申请日：2022-12-06

Applicant: 嘉兴学院

Inventor： 李雷 ,  马惠 ,  严文思 ,  宋利 ,  洪哲 ,  邓利华

IPC: C01B25/08 ,  C25B1/04 ,  C25B11/075 ,  H01M4/90

Abstract: 本发明涉及催化材料领域，具体涉及一种磷空位磷化钼材料，其为表面具有磷空位的磷化钼材料。本发明还涉及所述材料的制备和在HER催化中的应用。本发明所述的磷空位磷化钼材料具有丰富的电活性位点和快速电荷转移能力，其在碱性和酸性介质中均表现出较低的过电位和较高的TOF值，可以表现出优异的HER催化活性。