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公开(公告)号：CN116532138A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211639026.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 嘉兴学院
Inventor： 李雷 , 严文思 , 马惠 , 宋利 , 洪哲 , 杨震玉
IPC: B01J27/19 , C25B1/04 , C25B1/50 , C25B11/091 , H01M4/90
Abstract: 本发明属于HER材料领域，具体涉及一种P‑Se双空位MoP/MoSe2异质结材料，包括Se空位的MoSe2纳米片以及复合在其表面的具有P空位的MoP纳米片，且二者的复合界面具有异质结结构。本发明还包括所述的材料的制备方法和应用。本发明所述的材料具有优异的HER性能。
