半导体基板上的高Q垂直带状电感器

    公开(公告)号:CN102906873B

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201180024880.0

    申请日:2011-05-20

    申请人: 哈里公司

    发明人: D·M·史密斯

    IPC分类号: H01L23/522

    摘要: 提供了一种制造半导体装置的方法及其装置。该半导体装置(100)包括具有相对的第一和第二表面(102a、102b)的半导体基板(102)。该装置还包括设置在所述第一表面上的平坦电感器部件(104)。该平坦电感部件(103)包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组(104)的独立式电导体,其中,该电导体具有宽度和高度,并且其中,高宽(HW)比显著大于1。

    半导体基板上的高Q垂直带状电感器

    公开(公告)号:CN102906873A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201180024880.0

    申请日:2011-05-20

    申请人: 哈里公司

    发明人: D·M·史密斯

    IPC分类号: H01L23/522

    摘要: 提供了一种制造半导体装置的方法及其装置。该半导体装置(100)包括具有相对的第一和第二表面(102a、102b)的半导体基板(102)。该装置还包括设置在所述第一表面上的平坦电感器部件(104)。该平坦电感部件(103)包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组(104)的独立式电导体,其中,该电导体具有宽度和高度,并且其中,高宽(HW)比显著大于1。