公开(公告)号：CN108585836A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810494537.6

申请日：2018-05-22

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 吴丰民 ,  林炜鹏 ,  王军军 ,  贺训军 ,  张春晓

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

Abstract: 一种BNT基压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。本发明针对目前二元体系BNT-BT陶瓷高压电性能较低以及漏电流高的问题，提供了一种BNT基压电陶瓷,所述BNT基压电陶瓷的组成为0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07BaTiO3:(0.1％-0.5％MoO3)，是以Bi2O3、Na2CO3、BaCO3、TiO2为原料，经预混球磨、烧结后掺杂MoO3，经二次球磨、烧结后，并镀上银电极制备获得的。本发明适用于具有较高压电性能和低漏电流的压电陶瓷的生产。

公开(公告)号：CN110498679A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910924240.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王军军 ,  柏春庚 ,  吴丰民 ,  林炜鹏 ,  张春晓

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高介电性能多层相结构BNT-BT陶瓷的制备方法，属于压电陶瓷的技术领域。本发明要现有解决BNT-BT陶瓷的介点性能较低的技术问题。本发明方法：步骤1、制备三方相BNT-5BT粉料、准同型相界BNT-7BT粉料四方向相BNT-9BT粉料；步骤2、将步骤1得到的四方相BNT-9BT粉料放入模具中，压制成型，再放入步骤1得到的准同型相界BNT-7BT粉料后，压制成型，然后放入步骤1得到的三方相BNT-5BT粉料，压制成型；步骤3、然后高压成型，烧结，随炉自然冷却，得到多层相结构BNT-BT陶瓷。本发明制备出无分层，组分之间相互固溶的类三明治结构陶瓷，从而提高其介电性能。

公开(公告)号：CN110498679B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201910924240.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王军军 ,  柏春庚 ,  吴丰民 ,  林炜鹏 ,  张春晓

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高介电性能多层相结构BNT‑BT陶瓷的制备方法，属于压电陶瓷的技术领域。本发明要现有解决BNT‑BT陶瓷的介点性能较低的技术问题。本发明方法：步骤1、制备三方相BNT‑5BT粉料、准同型相界BNT‑7BT粉料四方向相BNT‑9BT粉料；步骤2、将步骤1得到的四方相BNT‑9BT粉料放入模具中，压制成型，再放入步骤1得到的准同型相界BNT‑7BT粉料后，压制成型，然后放入步骤1得到的三方相BNT‑5BT粉料，压制成型；步骤3、然后高压成型，烧结，随炉自然冷却，得到多层相结构BNT‑BT陶瓷。本发明制备出无分层，组分之间相互固溶的类三明治结构陶瓷，从而提高其介电性能。

公开(公告)号：CN108585836B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201810494537.6

申请日：2018-05-22

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 吴丰民 ,  林炜鹏 ,  王军军 ,  贺训军 ,  张春晓

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

Abstract: 一种BNT基压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。本发明针对目前二元体系BNT‑BT陶瓷高压电性能较低以及漏电流高的问题，提供了一种BNT基压电陶瓷,所述BNT基压电陶瓷的组成为0.93Bi0.5Na0.5TiO3‑0.07BaTiO3:(0.1％‑0.5％MoO3)，是以Bi2O3、Na2CO3、BaCO3、TiO2为原料，经预混球磨、烧结后掺杂MoO3，经二次球磨、烧结后，并镀上银电极制备获得的。本发明适用于具有较高压电性能和低漏电流的压电陶瓷的生产。