一种永磁同步电机的无位置传感器控制方法

    公开(公告)号:CN114938170A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210737912.1

    申请日:2022-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机的无位置传感器控制方法,涉及永磁同步电机的无位置传感器控制领域。本发明为了解决现有技术中的系统控制动态响应速度慢,无位置传感器转子位置精度低的问题。本发明包括将模糊控制理论引入滑模控制中,系统状态变量的趋近速度随着与滑模面距离的变化而变化,系统采用模型参考自适应无传感控制方式;然后通过设计模糊规则输出切换增益k,根据所述切换增益k自整定系统切换增益,削弱了系统的抖振问题,进而得到电机的转速。本发明提高了控制系统的性能,提高了系统的动态响应速度,实现系统的无超调启动。

    一种永磁同步电机无位置传感器控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN115189616A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210726660.2

    申请日:2022-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机无位置传感器控制系统及控制方法,属于电机控制技术领域。本发明针对现有滑模观测器估算电机转子位置和速度信息时,会出现高频抖振、噪声、相位延迟等问题。本发明包括滑模观测器,用以得到永磁同步电机的转子位置角和角速度,进而得到转速;模糊PID控制器,包括模糊推理模块和PID模块,所述模糊推理模块以所述转速和目标转速的偏差和偏差的变化值作为输入,经模糊推理得到PID模块的系数Kp、Ki和Kd,所述转速和目标转速的偏差作为PID模块的输入,得到电流给定值本发明能精确地估算电机转子位置和速度信息,具较强的鲁棒性,能够有效抑制控制系统中的抖振。

    一种新型碳化硅MOSFET驱动电路

    公开(公告)号:CN114944747A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210641608.7

    申请日:2022-06-08

    Abstract: 本发明属于电力电子器件技术领域,具体公开了一种新型的碳化硅MOSFET驱动电路,其特点在于:所述的碳化硅MOSFET驱动电路包含驱动电路和硬件死区电路。驱动电路由带有磁隔离装置的驱动拓扑结构以及去饱和检测电路构成;硬件死区电路通过RC滤波电路与逻辑门电路产生硬件死区,在程序出现错误时,通过硬件也能实现死区信号,提高了可靠性。本发明的驱动电路具有结构简单、体积较小、驱动安全、防止桥臂串扰、集成度高以及提高功率密度等优点,提高了工作效率,降低了损耗,具有较好的抗干扰性和可靠性。

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