一种耐热负性光刻胶的制备方法

    公开(公告)号:CN101192005A

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200610151036.5

    申请日:2006-11-20

    Abstract: 一种耐热负性光刻胶的制备方法,它涉及利用原料精制、调胶、过滤和预烘成膜四个工艺制备耐热的负性光刻胶胶膜。本发明以聚环化丁二烯为胶液基体,以2,6-双(叠氮亚苄基)4-甲基环己酮为交联剂,以二苯甲酮为光敏剂,以环己烷为溶剂,通过原料精制、调胶和过滤工艺和预烘成膜四个工艺,得到紫外光固化的耐热负性光刻胶。该发明得到的紫外光固化的耐热负性光刻胶需要在96℃下前烘30分钟,得到的胶膜颜色透明,刻蚀图形分辨率(感光度小于5mJ/cm2下测试)小于2μm,胶膜针孔密度(胶膜厚度为1.0μm下测试)小于0.4个/cm2,留膜率达95%,在235℃下胶膜不会发生变形和流动,且在-30℃下贮存六个月仍保持光刻胶的使用性能。

    一种离子聚合物金属复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101143950A

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:CN200610010551.1

    申请日:2006-09-15

    Abstract: 一种离子聚合物金属复合材料的制备方法,它涉及离子聚合物金属复合材料的制备工艺。本发明采用直接磺化法制备聚乙烯-乙烯醇磺酸钾离子聚合物(EVOH-SO3K)。EVOH在60℃下溶解于N,N-二甲基乙酰胺(DMAc),同时将催化剂叔丁醇钾溶解于DMAc,恒温搅拌1h,然后在室温下将上述溶液混合均匀后,于60℃下滴入1,3-丙烷磺酸内酯,继续恒温反应3h,即得到EVOH-SO3K。接着反应产物用去离子水透析,烘干后用DMAc溶解,然后缓慢滴加TDI,充分搅拌后,溶液法铸膜。溶液法铸膜时阶梯升温,60℃下保持2h,80℃下保持2h,100℃保持2h,120℃保持2h,最后在150℃保持5h后停止加热,然后缓慢冷却得到基体膜材料。基体树脂膜化学沉积时不打卷、不溶胀,具有优异的尺寸稳定性。将IPMC基体树脂膜进行表面处理后,用Ag[NH3]2NO3浸渍24h,接着用NaBH4还原,反复几次化学沉积制得IPMC。该发明经过三次浸渍还原制备出IPMC,表面电阻为8×10-1Ω/mm2,在3V外加电压下能够实现电形变,形变角度达到36°。

    一种聚酰亚胺(PI)无纺布的制备方法

    公开(公告)号:CN101139746A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200610010483.9

    申请日:2006-09-04

    Abstract: 一种聚酰亚胺无纺布的制备方法,它涉及利用高压静电纺丝法制备聚酰亚胺无纺布的制备工艺。本发明以含柔性官能团的4,4’-二氨基二苯醚(ODA)和3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐(ODPA)为缩聚单体,合成聚酰胺酸(PAA)溶液,然后利用高压静电纺丝技术制备出PAA无纺布,然后经高温处理使PAA发生缩聚反应生成聚酰亚胺(PI),即可得到PI无纺布。该发明得到的聚酰亚胺无纺布纤维直径分布在0.5~2μm,热分解温度在500℃以上,横向拉伸强度为18MPa,纵向拉伸强度为16MPa。

Patent Agency Ranking