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公开(公告)号:CN117380286A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311590251.5
申请日:2023-11-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01J31/26 , B01J35/39 , B01J31/18 , C02F1/30 , C02F101/36 , C02F101/34
Abstract: 本发明涉及光催化降解领域一种酞菁铁负载金属氧化物Z型异质结光催化剂的制备及其应用。本发明目的是解决现有技术合成高性能光催化剂不稳定、可见光利用率低、光生电子‑空穴对易复合、造价昂贵、资源循环利用效率低等问题。本专利设计与研制了一种酞菁铁(FePc)负载金属氧化物材料XFePc/CeO2。所采用的方法:以氧化铈和酞菁铁为原料,采用一锅法制备酞菁铁负载金属氧化物Z型异质结光催化剂,可见光下XFePc/CeO2复合材料可适用于降解2,4‑二氯苯酚污染物,具有高降解率和高催化活性。在可见光照射条件下,复合材料相对单组份催化降解性能均有大幅度提高,例如1FePc/CeO2光催化剂样品在150分钟内表现出超高降解效率,是纯CeO2的3倍。
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公开(公告)号:CN113943328A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202111209669.8
申请日:2021-10-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C07F17/02
Abstract: 二茂铁接枝二硫化钼衍生物及其制备方法,它涉及一种二硫化钼复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有二硫化钼的电子流动性能较差,且无法与二茂铁接枝复合的问题。二茂铁接枝二硫化钼衍生物的结构通式为:制备方法:一、制备L‑半胱氨酸碱性分散液;二、制备酰基二茂铁分散液;三、制备二茂铁‑L‑半胱氨酸席夫碱;四、接枝复合,得到二茂铁接枝二硫化钼衍生物。优点:具有非常好的电子流动性能,能够作为电子媒介体用于传感器。具有一定抑菌性,能够作为电化学传感器媒介体用于槲皮素以及木犀草素的检测。本发明主要用于制备二茂铁接枝二硫化钼衍生物。
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公开(公告)号:CN103131013A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201310058668.7
申请日:2013-02-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08G77/60
Abstract: 一种叠氮化聚硅烷及其制备方法,它涉及一种聚硅烷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有聚硅烷存在含有活性基团少的问题。一种叠氮化聚硅烷由有机溶剂、氯封端聚硅烷和叠氮钠制备而成;制备方法:一、叠氮化反应;二、分离;三、洗涤干燥处理,即得到叠氮化聚硅烷。优点:一、改善了聚硅烷存在的因活性基团少,而限制其实际应用的情况;二、与氯封端聚硅烷相比,黏度小,不易变性,更便于保存;且叠氮基的存在,使其可以与其它基体发生一些特异反应,作为合成功能高分子的前体,扩大了聚硅烷在功能材料方面的应用范围。本发明主要用于制备叠氮化聚硅烷。
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公开(公告)号:CN113943328B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202111209669.8
申请日:2021-10-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C07F17/02
Abstract: 点:具有非常好的电子流动性能,能够作为电子二茂铁接枝二硫化钼衍生物及其制备方法, 媒介体用于传感器。具有一定抑菌性,能够作为它涉及一种二硫化钼复合材料及其制备方法。本 电化学传感器媒介体用于槲皮素以及木犀草素发明的目的是要解决现有二硫化钼的电子流动 的检测。本发明主要用于制备二茂铁接枝二硫化性能较差,且无法与二茂铁接枝复合的问题。二 钼衍生物。茂铁接枝二硫化钼衍生物的结构通式为:制备方法:一、制备L‑半胱氨酸碱性分散液;二、制备酰基二茂铁
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公开(公告)号:CN117138818A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311085612.0
申请日:2023-08-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01J27/24 , C02F1/30 , C02F1/72 , B01J37/08 , B01J37/10 , C02F101/34 , C02F101/36
Abstract: 本发明涉及光催化降解领域一种超薄聚合石墨碳氮化合物负载金属半导体的制备及其应用。本发明目的是解决现有技术合成高性能光催化剂的不稳定、选择性较低、活化氧气能力不足、造价昂贵的问题,以及2,4‑二氯苯酚废水降解率低的问题。本专利设计与研制了一种超薄聚合石墨碳氮化合物(CN)负载金属半导体材料XCeO2/CN。所采用的方法:以三聚氰胺和三聚氰酸为原料,通过在高温煅烧后酸化处理得到超薄CN纳米片,将制备的超薄CN纳米片与金属半导体CeO2采用一锅法制备超薄聚合石墨碳氮化合物负载金属半导体材料,可见光下XCeO2/CN复合材料可适用于降解2,4‑二氯苯酚污染物,具有高降解率和高催化活性。在可见光照射条件下,复合材料相对单组份催化降解性能均有大幅度提高,例如20CeO2/CN光催化剂样品在60分钟内表现出100%的高降解效率,分别是纯CN和纯CeO2的2倍和2.32倍。
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公开(公告)号:CN104667902B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201510093072.X
申请日:2015-03-02
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 溶胶法制备ZnO-膨胀石墨复合材料的方法,它涉及一种ZnO-膨胀石墨复合材料的制备方法。本发明的目的要解决现有技术制备的膨胀石墨氧化锌复合光催化剂存在光催化性能差,重复利用率差的问题。方法:一、制备有机锌溶胶;二、制备膨胀石墨;三、浸渍煅烧,得到ZnO-膨胀石墨复合材料。本发明主要用于制备ZnO-膨胀石墨复合材料。
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公开(公告)号:CN102796266B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201210338403.8
申请日:2012-09-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料及其制备方法,它涉及一种碳纳米管-聚硅烷复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有碳纳米管存在比表面能大、在有机物中的分散性差及与有机物的结合能力弱的问题。一种多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料由硅烷化多壁碳纳米管、二氯硅烷衍生物、有机溶剂和碱金属制备而成;方法:一、制备纯化多壁碳纳米管;二、制备酸化多壁碳纳米管;三、制备酰氯化多壁碳纳米管;四、制备接枝苯酚衍生物的酰氯化多壁碳纳米管;五、硅烷化处理制备硅烷化多壁碳纳米管;六、以碱金属为催化剂,与二氯硅烷衍生物聚合得到多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料。本发明主要用于制备多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料。
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公开(公告)号:CN102786693B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201210318626.8
申请日:2012-08-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种聚硅烷/多壁碳纳米管复合材料的制备方法,它涉及的是一种聚硅烷/多壁碳纳米管复合材料的制备方法。本发明目的是要解决聚硅烷存在导电性差的问题。方法:一、制备多壁碳纳米管/有机溶剂分散液;二、制备碱金属/有机溶剂悬浮液;三、制备氯硅烷/有机溶剂溶液;四、将多壁碳纳米管/有机溶剂分散液、碱金属/有机溶剂悬浮液和氯硅烷/有机溶剂溶液混合到一起;五、聚合反应;六、洗涤干燥。本发明主要用于制备聚硅烷/多壁碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号:CN113817000A
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202111208811.7
申请日:2021-10-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 二茂铁‑三唑席夫碱衍生物及其制备方法,它涉及一种二茂铁衍生物及其制备方法。本发明的目的要解决现有现有二茂铁及其衍生物电子流动性能较差的问题。二茂铁三唑席夫碱衍生物的结构通式为:制备方法:一、制备芳基甲酰肼;二、制备芳基甲酰肼基二硫代甲酸盐;三、制备3‑取代基‑4‑氨基‑5‑巯基‑1,2,4‑三唑;四、合成,得到二茂铁三唑席夫碱衍生物。优点:具有非常好的电子流动性能,能够作为电子媒介体用于传感器,且能够延长传感器的使用寿命;具有一定抑菌性,能够用于传感器修饰液,该传感器修饰液用于葡萄糖传感器使用时使葡萄糖传感器具有一定的抑菌性和抗污染性。本发明主要用于制备二茂铁‑三唑席夫碱衍生物。
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公开(公告)号:CN105733308B
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201610056360.2
申请日:2016-01-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料的制备方法,它涉及一种二硫化钼夹层复合材料的制备方法。本发明的目的要解决提高聚硅烷‑二硫化钼复合材料相容性差的问题。方法:一、可溶性聚硅烷的制备;二、聚硅烷‑四氢呋喃溶液的制备;三、烷基锂‑二硫化钼夹层物的制备;四、单层二硫化钼分散液的制备;五、夹层反应,即得到聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料。优点:具备两者优异性能的同时,非常好地解决了聚硅烷‑二硫化钼复合材料制备过程中的分散性和相容性难题,且制备方法简单,在导电材料、耐磨材料等方面有着潜在的应用价值。本发明主要用制备聚硅烷‑二硫化钼夹层复合材料。
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