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公开(公告)号:CN104262655A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201410491049.1
申请日:2014-09-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种新型偶联方式制备尺寸统一且分散均匀的PI/SiO2纳米复合薄膜的方法,它涉及一种制备PI/SiO2纳米复合薄膜的方法。本发明是要解决现有PI/SiO2纳米复合薄膜制备过程中存在纳米颗粒在聚酰亚胺基体中分布不均和团聚的问题。方法:在传统溶胶-凝胶聚合法的基础上,利用向体系中加入偶联剂,采用一种新型的偶联方式将SiO2与PI基体连接在一起制备分散均匀,尺寸统一的PI/SiO2纳米复合薄膜,作为一种新的工业材料。本发明用于制备PI/SiO2纳米复合薄膜。