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1.

实用新型
一种镜像全加器电路失效

公开(公告)号：CN204652349U

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201520343069.4

申请日：2015-05-25

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘倩 , 丁成乐

IPC: H03K19/20

Abstract: 一种镜像全加器电路，涉及一种全加器，本实用新型为解决现有全加器电路采用的晶体管个数很多，导致关键路径上的延迟极大的问题。本实用新型包括进位电路和求和电路，进位电路和求和电路均为镜像结构；第一进位电路包括PMOS晶体管a、PMOS晶体管b和PMOS晶体管c，第二进位电路包括NMOS晶体管d、NMOS晶体管e和NMOS晶体管f，第一求和电路包括PMOS晶体管g、PMOS晶体管h、PMOS晶体管i、PMOS晶体管j和PMOS晶体管k，第二求和电路包括NMOS晶体管m、NMOS晶体管n、NMOS晶体管o、NMOS晶体管p和NMOS晶体管q；本实用新型用于数字集成电路。

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