一种基于金属阵列微腔的钙钛矿纳米激光器的制备方法

    公开(公告)号:CN118040460B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410101887.7

    申请日:2024-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属阵列微腔的钙钛矿纳米激光器的制备方法,属于激光与纳米技术领域。首先制备金属阵列微腔,将制备好的金属阵列微腔作为谐振腔。接着制备准二维钙钛矿薄膜,将制备好的准二维钙钛矿薄膜涂覆于制备好的金属阵列微腔之上。之后制备顶层金属电极,将制备好的顶层金属电极涂覆于制备好的准二维钙钛矿薄膜之上进行封装加固。本发明以简单经济的方法实现了全波段、高功率、窄带宽、强相干的纳米激光器。本发明工艺简单、成本低廉、批次性好且能够实现按需定制,对实现片上集成与光计算等新兴光学领域的发展并推动实现其应用具有重要意义。

    一种基于气氛调控的准二维钙钛矿发光薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN118109195A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410028237.4

    申请日:2024-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于气氛调控的准二维钙钛矿发光薄膜及其制备方法,其属于发光材料与纳米技术领域,其中,准二维钙钛矿发光薄膜的制备方法包括以下步骤:将大分子阳离子有机物、一价阳离子卤化物、二价阳离子卤化物溶解于极性有机溶剂中,得到前驱体溶液;将前驱体溶液置于含有特制气氛的环境中进行两段旋涂,得到所述准二维钙钛矿发光薄膜;其中,所述特制气氛为二甲基亚砜、N‑N二甲基甲酰胺、异丙醇、乙酸乙酯、氯苯、甲苯中的一种或多种经过挥发所形成的气氛。本发明通过调控气氛环境的成分比例就可以实现在380nm‑800nm可见光‑近红外范围内发光任意可调,无需退火及反溶剂处理即可迅速获得发光性能优异、高环境稳定性与高相纯度的准二维钙钛矿薄膜。

    一种基于金属阵列微腔的钙钛矿纳米激光器的制备方法

    公开(公告)号:CN118040460A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410101887.7

    申请日:2024-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属阵列微腔的钙钛矿纳米激光器的制备方法,属于激光与纳米技术领域。首先制备金属阵列微腔,将制备好的金属阵列微腔作为谐振腔。接着制备准二维钙钛矿薄膜,将制备好的准二维钙钛矿薄膜涂覆于制备好的金属阵列微腔之上。之后制备顶层金属电极,将制备好的顶层金属电极涂覆于制备好的准二维钙钛矿薄膜之上进行封装加固。本发明以简单经济的方法实现了全波段、高功率、窄带宽、强相干的纳米激光器。本发明工艺简单、成本低廉、批次性好且能够实现按需定制,对实现片上集成与光计算等新兴光学领域的发展并推动实现其应用具有重要意义。

Patent Agency Ranking