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公开(公告)号：CN117542950A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311497719.6
申请日：2023-11-12
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/66 , H01M4/134 , H01M10/052 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种金属箔表面MXene自生长工艺及其产品和应用，其中金属箔表面MXene自生长工艺包括如下步骤：S1.制备MXene分散液,将MXene分散液配制为5‑10mg/mL；S2.将普通金属箔用乙酸进行浸泡处理，使之失去钝化层；S3.将处理后的金属箔浸泡在MXene分散液中，常压下浸泡；待反应结束后，取出在真空烘箱中烘干，即得到在金属箔表面自生长MXene的极片。本发明不仅可以避免引入PVDF等有机粘结剂对极片导电性的影响，而且能够实现MXene与金属箔的牢固组合。
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