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公开(公告)号：CN120032690A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510398701.3
申请日：2025-03-31
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明属于智能光纤器件技术领域，具体涉及一种多光学存储通道的光纤回音壁忆阻器，包括单模光纤、阶跃多模光纤、光纤回音壁、光学相变材料薄膜、防氧化层薄膜、第一微纳探测光纤、第二微纳探测光纤、汇聚光束、第一擦写脉冲光以及第二擦写脉冲光，阶跃多模光纤出射端面的光场分布为第一Bessel光场以及第二Bessel光场。本发明设计多光学存储通道的全光回音壁忆阻器，利用波分复用特种光场调控技术，以纤内调控的方式多个回音壁非易失性存储通道的调控，扩大了光纤回音壁忆阻器的存储容量，推动了光子忆阻器的研究，助力光子神经拟态计算的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113687551B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111045986.0
申请日：2021-09-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关，括宽带光源、单模光纤、“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、793nm连续激光器、532nm脉冲激光器、光谱分析仪；所述宽带光源通过单模光纤与第一“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、第二“花生型”光纤微结构和光谱分析仪依次相连。本发明提出利用光纤烧球熔接、磁控溅射镀膜以及光纤打孔技术进行非易失性光开关的制作，形成干涉臂中间打孔镀GST的花生型”马赫曾德尔干涉结构，制作简单成本低，在可重构光子器件及非易失性光开关领域应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN119043198A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166233.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G01B11/08
Abstract: 本发明公开了一种利用回音壁模式分裂光谱筛选尺寸相近微球的装置及方法，包括锥形光纤、第一微球腔、第二微球腔、第三微球腔，以及待测量微球与三个微球腔的耦合区域；锥形光纤具有一段长锥区，提供与三个微球腔分别进行耦合的空间位置；三个具有不同半径尺寸的微球腔作为参考标准，分别与其对应的相近尺寸的微球发生耦合导致模式分裂现象。当待测微球尺寸小于微球腔尺寸时，分裂光谱方向趋向左侧；当待测微球尺寸等于微球腔尺寸时，分裂光谱的分裂峰相等且分裂峰间距最大；当待测微球尺寸大于微球腔尺寸时，分裂光谱方向趋向右侧。本发明可有效扩大对微球尺寸的测量范围，根据分裂光谱方向及分裂间距实现快速测量微球尺寸、区分尺寸相近微球。
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公开(公告)号：CN116151346A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310176502.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于微环谐振器的激活函数装置制作方法，包括如下步骤：确定光学装置所要拟合的标准非线性函数；制备微环谐振器；耦合环形PN结与微环；设置辅助光源及输出信号测量设备；设置TIA跨阻放大器及偏置单元。本发明通过光学器件可拟合实现激活函数功能，并且较为容易与其他能够实现神经单元权重求和的光学元件组合，实现单个神经元的完整功能，从而提高光学神经网络的运算效率和运算精度。本装置体积小，容易集成化，由本装置组合得到的神经单元集成得到的光学神经网络，其运算效率和运算精度可以得到显著提高。
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公开(公告)号：CN113777807A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111044421.0
申请日：2021-09-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供了一种基于Ge2Sb2Te5相变材料的非易失性回音壁模式全光开关及其制备方法，包括如下步骤：S1：利用标准单模光纤进行直径125μm回音壁模式初始光纤微球谐振腔的制备；S2：磁控溅射系统在光纤微球上溅射厚度为50nm±1nm的Ge2Sb2Te5相变材料，制备Ge2Sb2Te5功能化微球谐振腔；S3：光纤探针引导功率不同、脉冲数恒定的532nm脉冲激光对Ge2Sb2Te5功能化微球谐振腔进行光开光调制。本发明借助于光纤体积小、易集成优势，基于GST相变材的料回音壁模式光纤微球可进行级联与集成化，实现多全光开关的协同化调控，构建全光网络开关系统。
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公开(公告)号：CN113687551A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111045986.0
申请日：2021-09-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料Ge2Sb2Te5的马赫曾德尔干涉非易失性多级光开关，括宽带光源、单模光纤、“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、793nm连续激光器、532nm脉冲激光器、光谱分析仪；所述宽带光源通过单模光纤与第一“花生型”光纤微结构、纤芯镀有Ge2Sb2Te5的微孔、第二“花生型”光纤微结构和光谱分析仪依次相连。本发明提出利用光纤烧球熔接、磁控溅射镀膜以及光纤打孔技术进行非易失性光开关的制作，形成干涉臂中间打孔镀GST的“花生型”马赫曾德尔干涉结构，制作简单成本低，在可重构光子器件及非易失性光开关领域应用前景广阔。
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