公开(公告)号：CN105390538A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510888155.8

申请日：2015-12-04

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 王一文 ,  马芝 ,  宋博扬 ,  苏杭 ,  刘记朋 ,  黄继攀 ,  王明江

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明提出了一种遂穿场效应晶体管数字标准单元的版图结构设计方法，在传统的MOSFET数字标准单元的版图基础上，通过对版图结构和掺杂浓度的改变，得到实验需要的遂穿场效应晶体管数字标准单元版图。其中包括确定遂穿场效应晶体管数字标准单元的版图设计基本参数，设计数字标准单元原理图并根据电路性能确定器件尺寸后，根据上述内容最终确定遂穿场效应晶体管的版图结构。本发明设计出的隧穿场效应晶体管版图中源漏掺杂非对称，器件串联时有源区面积会更大；遂穿场效应晶体管的PIN结构，器件关态时静态电流非常小，有效降低静态功耗，同时由于其亚阈值摆幅能突破60mv/dec极限，使得电路充放电速度更快。