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公开(公告)号：CN101255549A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810065404.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C23C16/34 , C23C16/38 , C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种具有超疏水性能的氮化硼薄膜及其制备方法，其特征在于选用BF3－N2－H2－Ar反应体系，采用微波等离子体化学气相沉积方法，制备出一种由纳米片层组成的hBN薄膜。这些纳米片层垂直于基材表面生长，具有很好的定向性，因而形成具有纳米结构特征的表面形貌，显示出良好的超疏水性能，接触角大于150°。这是国内外首次制备出hBN超疏水薄膜。本发明制备工艺为普通的化学气相沉积方法，不需要后处理工艺，简单易行。由于BN材料优异的物理化学性质，所制备的BN超疏水薄膜具有化学性质稳定、耐高温、寿命长、与基底结合强度高、光学透明等优点，具有重要的应用前景。
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