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公开(公告)号：CN116770247B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310758841.8
申请日：2023-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种纳米孪晶银材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，对基板进行清洗，干燥；步骤S2，靶材选用银靶，将基板和靶材放入磁控溅射设备中，抽真空后，对基板施加负偏压进行直流磁控溅射沉积，其中，基板偏压为‑50～‑200V，基板温度为25～50℃，氩气流量为30～50sccm，溅射室真空度为0.3～1.0Pa，沉积时间为15‑90min。采用本发明的技术方案，制备得到的纳米孪晶银材料中具有高密度的纳米孪晶，孪晶界占比>90％，兼具高导电和高导热性能的条件下，提高了材料的硬度、抗电迁移性能和热稳定性；得到的纳米孪晶银材料具有优异的综合性能。
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公开(公告)号：CN116770247A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310758841.8
申请日：2023-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种纳米孪晶银材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，对基板进行清洗，干燥；步骤S2，靶材选用银靶，将基板和靶材放入磁控溅射设备中，抽真空后，对基板施加负偏压进行直流磁控溅射沉积，其中，基板偏压为‑50～‑200V，基板温度为25～50℃，氩气流量为30～50sccm，溅射室真空度为0.3～1.0Pa，沉积时间为15‑90min。采用本发明的技术方案，制备得到的纳米孪晶银材料中具有高密度的纳米孪晶，孪晶界占比>90％，兼具高导电和高导热性能的条件下，提高了材料的硬度、抗电迁移性能和热稳定性；得到的纳米孪晶银材料具有优异的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119725283A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411808216.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/603 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米孪晶银的窄节距铜凸点互连结构及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：在带有铜凸点的芯片或晶圆上表面涂覆光刻胶，然后进行曝光，剥离铜凸点表面的光刻胶，露出铜凸点的上表面；对铜凸点的上表面进行化学机械抛光处理；采用磁控溅射工艺在铜凸点的上表面上沉积纳米孪晶银层，然后使用剥离液去除其余光刻胶和多余部分的银层，得到上表面具有纳米孪晶银的铜凸点结构；将两个上表面具有纳米孪晶银的铜凸点结构芯片或晶圆对准，加热至200～250℃，进行热压互连，得到基于纳米孪晶银的窄节距铜凸点互连结构。采用本发明的技术方案，实现上下芯片上窄节距铜凸点之间的低温互连，得到的互连结构具有优异的服役可靠性。
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公开(公告)号：CN119237747A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299751.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: B22F9/04 , B22F1/12 , B22F1/05 , B22F1/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J23/72 , B01J35/58 , B01J35/50 , B01J35/40 , C01G3/02
Abstract: 本发明提供了一种水热还原制备Cu/CuO纳米片束的方法，包括如下步骤：将铜盐溶于水中，配制成前驱体溶液A；将还原剂溶于水中，配制成溶液B；所述还原剂与铜盐的摩尔比为1:2～6；对溶液B进行搅拌，阶梯式升温至60～120℃，过冷滴加前驱体溶液A，反应20‑40min，调整溶液的pH值为13～14，然后加入大分子链有机物稳定剂水溶液，然后在60～120℃下叠加超声反应5min～30min；待混合溶液由深蓝色变为绿色再转变成黑红色时，将快速冷却至室温，得到悬浊液；将所述悬浊液进行分离，清洗，干燥。本发明的技术方案可在低温下快速制备出尺寸均一、形貌可控Cu/CuO纳米片束，且工艺成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN119634742A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411468442.9
申请日：2024-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种抗氧化纳米铜粉及其制备方法、纳米铜焊膏，抗氧化纳米铜粉的制备方法包括如下步骤：将铜盐溶于溶剂中，加入可溶性金属氢氧化物，配制成前驱体溶液；其中，所述可溶性金属氢氧化物与铜盐的摩尔比为0.5‑3:1；将L‑抗坏血酸溶于溶剂中，在40～80℃下搅拌10～20min，冷却得到反应溶液；将前驱体溶液和反应溶液混合得到混合液，其中铜盐与L‑抗坏血酸的摩尔比为1:2‑4；将混合液加入到还原性醇中搅拌均匀，加热至155～195℃，并保温反应15min以上，将产物经洗涤、离心、干燥，得到抗氧化纳米铜粉。采用本发明的技术方案得到的纳米铜粉尺寸小，抗氧化，在空气中的稳定性好，实现芯片低温烧结互连，接头可靠性高。
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公开(公告)号：CN118123161A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311551307.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种无镀层超声辅助可伐合金的连接方法及精密器件，该连接方法包括：准备Sn‑Sb合金钎料片，并进行表面清洁；其中，所述Sn‑Sb合金钎料片的Sb含量为8‑12wt.％；对待连接器件和基板的可伐合金进行表面清洁；将清洁后的Sn‑Sb合金钎料片置于待连接的可伐合金之间，形成三明治封装结构，然后置于超声钎焊设备中，加热至260‑300℃，保温不超过10min后，施加超声能量场不超过60s，于空气中冷却，实现封装结构的连接。本发明的技术方案采用Sn‑Sb合金钎料作为中间连接层，辅以超声进行连接，抗蠕变性能优异，接头的组织性能更优，可靠性高，工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN116844983A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310818398.9
申请日：2023-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种可在空气条件下实现芯片低温固相连接的方法，包括如下步骤：步骤S1，对芯片和基板的表面进行清洗、干燥；步骤S2，在芯片的背面沉积一层纳米金属层；在基板沉积一层纳米金属层，所述纳米金属层为纳米Ag镀层或纳米Au镀层；步骤S3，将芯片置于基板上，并使芯片的纳米金属层与基板的纳米金属层相对，形成从上至下依次为芯片、芯片上纳米金属层、基板上纳米金属层、基板的封装结构；步骤S4，将装配好的封装结构放入热压扩散焊设备中在空气气氛下进行热压保温后，冷却至室温，完成互连，其中所述热压温度不超过300度。采用本发明的技术方案得到的接头互连界面结合良好，连接层致密无孔隙缺陷，导热性好，强度高。
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