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公开(公告)号:CN115449369A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202210914656.9
申请日:2022-08-01
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于光电半导体技术领域,尤其涉及一种钙钛矿纳米材料及其制备方法和应用。将卤化碱金属、第四主族金属卤化盐和卤化铵溶解在极性溶剂中得到前驱体溶液;将前驱体溶液、有机酸和有机胺在有机溶液中进行混合处理得到钙钛矿纳米材料。卤化铵中的NH4+离子可以强有力的结合到钙钛矿纳米材料表面,形成稳定的富含NH4+的配体壳层,从而有助于控制钙钛矿纳米材料的生长,并同时增强胶体溶液的稳定性。此外,卤化铵提供的富含NH4+和卤素离子的环境有助于消除Cs+离子空位和卤素离子空位,增强荧光强度,从而实现实现制备同时具有载流子高效注入、胶体稳定性和高荧光量子产率的理想发光波段的短链配体封端的钙钛矿纳米材料。
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公开(公告)号:CN114292645A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111554217.3
申请日:2021-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于材料技术领域,尤其涉及一种钝化后的钙钛矿纳米材料及其制备方法,以及一种光电器件。其中,钝化后的钙钛矿纳米材料的制备方法,包括步骤:制备钙钛矿纳米材料的分散液;获取卤化胺盐,将所述卤化胺盐与所述钙钛矿纳米材料的分散液进行混合处理,分离得到钝化后的钙钛矿纳米材料;其中,所述卤化胺盐中卤素与所述钙钛矿纳米材料中卤素相同。本申请钝化后的钙钛矿纳米材料的制备方法,工艺简单,条件温和,适应于工业化大规模生产和应用。并且制备的钝化后的钙钛矿纳米材料,通过卤化胺盐释放的卤素对表面缺陷的钝化作用,使得钝化后的钙钛矿纳米材料具有优异且稳定的荧光性能。
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公开(公告)号:CN115449369B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202210914656.9
申请日:2022-08-01
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于光电半导体技术领域,尤其涉及一种钙钛矿纳米材料及其制备方法和应用。将卤化碱金属、第四主族金属卤化盐和卤化铵溶解在极性溶剂中得到前驱体溶液;将前驱体溶液、有机酸和有机胺在有机溶液中进行混合处理得到钙钛矿纳米材料。卤化铵中的NH4+离子可以强有力的结合到钙钛矿纳米材料表面,形成稳定的富含NH4+的配体壳层,从而有助于控制钙钛矿纳米材料的生长,并同时增强胶体溶液的稳定性。此外,卤化铵提供的富含NH4+和卤素离子的环境有助于消除Cs+离子空位和卤素离子空位,增强荧光强度,从而实现实现制备同时具有载流子高效注入、胶体稳定性和高荧光量子产率的理想发光波段的短链配体封端的钙钛矿纳米材料。
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公开(公告)号:CN111864099A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010844701.9
申请日:2020-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) , 深圳石墨烯创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于空穴传输材料技术领域,具体涉及一种氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED。该氧化镍复合薄膜的制备方法包括如下步骤:提供初始氧化镍薄膜;在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐,然后进行氧等离子体处理,得到所述氧化镍复合薄膜。该制备方法能够显著提高氧化镍复合薄膜的功函数,并可提高功函数的稳定性,因此具有很好的空穴传输性能,在发光器件中具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN111864099B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202010844701.9
申请日:2020-08-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳) , 深圳石墨烯创新中心有限公司
Abstract: 本发明属于空穴传输材料技术领域,具体涉及一种氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED。该氧化镍复合薄膜的制备方法包括如下步骤:提供初始氧化镍薄膜;在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐,然后进行氧等离子体处理,得到所述氧化镍复合薄膜。该制备方法能够显著提高氧化镍复合薄膜的功函数,并可提高功函数的稳定性,因此具有很好的空穴传输性能,在发光器件中具有很好的应用前景。
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