公开(公告)号：CN111812077A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010650843.1

申请日：2020-07-08

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 马星 ,  王威 ,  杨世琨 ,  刘小嘉 ,  吕相龙

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明提供了一种金纳米刺拉曼增强检测芯片的制备方法，其包括：准备表面干净的芯片基底；采用离子溅射的方法在芯片基底的表面喷镀一层铂颗粒；在芯片基底上滴加硝酸银溶液和氯金酸溶液，再滴加双氧水进行还原；步骤S3的反应完成后，采用去离子进行冲洗芯片，即得到金纳米刺拉曼增强检测芯片。采用本发明的技术方案，利用离子溅射和原位化学生长制备出金纳米刺拉曼增强检测芯片，方法简单，制备周期短，无表面活性剂的影响；使用的设备简单，操作方便，可以大批量制备SERS芯片，而且可以在任意基底上制备金纳米刺，可以广泛应用于生物传感、物质痕量检测等领域。

公开(公告)号：CN111812077B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202010650843.1

申请日：2020-07-08

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 马星 ,  王威 ,  杨世琨 ,  刘小嘉 ,  吕相龙

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明提供了一种金纳米刺拉曼增强检测芯片的制备方法，其包括：准备表面干净的芯片基底；采用离子溅射的方法在芯片基底的表面喷镀一层铂颗粒；在芯片基底上滴加硝酸银溶液和氯金酸溶液，再滴加双氧水进行还原；步骤S3的反应完成后，采用去离子进行冲洗芯片，即得到金纳米刺拉曼增强检测芯片。采用本发明的技术方案，利用离子溅射和原位化学生长制备出金纳米刺拉曼增强检测芯片，方法简单，制备周期短，无表面活性剂的影响；使用的设备简单，操作方便，可以大批量制备SERS芯片，而且可以在任意基底上制备金纳米刺，可以广泛应用于生物传感、物质痕量检测等领域。