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公开(公告)号：CN105929153A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610263224.0
申请日：2016-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N33/553 , G01N33/531 , G01N27/327
CPC classification number: G01N33/553 , G01N27/3278 , G01N33/531 , G01N33/5438 , G01N2333/38
Abstract: 本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米管阵列主体，在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米柱阵列底片，组装制成金纳米井阵列电极；在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极；而后放入无标记AFB1抗体溶液中，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单，具有三维结构，表面积大，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰；抗体固定牢固有效，性能稳定可靠，可实现AFB1的灵敏快速测定。
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公开(公告)号：CN105929002A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610263223.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N27/327
CPC classification number: G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种金纳米井阵列电极及其制备方法，其包括有金纳米管阵列主体、金纳米柱阵列底片、集电体，所述金纳米管阵列主体是在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的，金纳米管的壁厚为50‑200nm；金纳米柱阵列底片是在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的；金纳米柱阵列底片通过导电胶粘结固定在集电体上，金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上，周边用绝缘胶带密封固定在集电体上，得到金纳米井阵列电极。本发明组成结构简单、合理，连接可靠、稳定，具有三维结构，表面积大，能够实现检测体系的微型化和集成化，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰。
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公开(公告)号：CN108845121A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810649493.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N33/531 , G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积-电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到三维金纳米柱阵列电极；在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇，形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛，再将冈田酸抗体固定到戊二醛上，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；最后用牛血清蛋白封闭电极，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。本发明电极具有三维结构，表面积大，制备简单，稳定性好，抗体固定牢固，操作简便，检测限低，灵敏度高，可实现快速检测。
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公开(公告)号：CN105929002B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610263223.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种金纳米井阵列电极及其制备方法，其包括有金纳米管阵列主体、金纳米柱阵列底片、集电体，所述金纳米管阵列主体是在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的，金纳米管的壁厚为50‑200nm；金纳米柱阵列底片是在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的；金纳米柱阵列底片通过导电胶粘结固定在集电体上，金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上，周边用绝缘胶带密封固定在集电体上，得到金纳米井阵列电极。本发明组成结构简单、合理，连接可靠、稳定，具有三维结构，表面积大，能够实现检测体系的微型化和集成化，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰。
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公开(公告)号：CN108845121B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810649493.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N33/531 , G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积‑电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到三维金纳米柱阵列电极；在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇，形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛，再将冈田酸抗体固定到戊二醛上，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；最后用牛血清蛋白封闭电极，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。本发明电极具有三维结构，表面积大，制备简单，稳定性好，抗体固定牢固，操作简便，检测限低，灵敏度高，可实现快速检测。
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公开(公告)号：CN105929153B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610263224.0
申请日：2016-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: G01N33/553 , G01N33/531 , G01N27/327
Abstract: 本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米管阵列主体，在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米柱阵列底片，组装制成金纳米井阵列电极；在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极；而后放入无标记AFB1抗体溶液中，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单，具有三维结构，表面积大，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰；抗体固定牢固有效，性能稳定可靠，可实现AFB1的灵敏快速测定。
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