公开(公告)号：CN108845121A

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201810649493.X

申请日：2018-06-22

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 曹立新 ,  梁晨希 ,  孙帅 ,  刘海萍 ,  毕四富

IPC: G01N33/531 ,  G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积-电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到三维金纳米柱阵列电极；在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇，形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛，再将冈田酸抗体固定到戊二醛上，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；最后用牛血清蛋白封闭电极，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。本发明电极具有三维结构，表面积大，制备简单，稳定性好，抗体固定牢固，操作简便，检测限低，灵敏度高，可实现快速检测。

公开(公告)号：CN108845121B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201810649493.X

申请日：2018-06-22

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 曹立新 ,  梁晨希 ,  孙帅 ,  刘海萍 ,  毕四富

IPC: G01N33/531 ,  G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积‑电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到三维金纳米柱阵列电极；在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇，形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛，再将冈田酸抗体固定到戊二醛上，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；最后用牛血清蛋白封闭电极，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极。本发明电极具有三维结构，表面积大，制备简单，稳定性好，抗体固定牢固，操作简便，检测限低，灵敏度高，可实现快速检测。