公开(公告)号：CN115376716B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210967020.0

申请日：2022-08-11

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 李杨 ,  魏文静 ,  吴晓宏 ,  卢松涛 ,  洪杨 ,  秦伟

IPC: G21F1/06 ,  C23C24/10

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽中子和γ射线的高熵陶瓷氧化物涂层及其制备方法，属于特种功能涂层领域。本发明要解决单一性和实验繁杂性的问题。本发明的涂层是由5％～35％氧化铪、5％～35％氧化钆、5％～35％氧化铒、5％～35％氧化钐、5％～35％氧化镧、5％～35％氧化铈、5％～35％氧化钛、5％～35％氧化锡中的五种氧化物粉末制备的；方法：是取氧化物粉末混合后球磨，真空干燥，然后铺垫在金属基底上，惰性气体保护下激光熔覆。本发明应用于航天军工、核化工、放射性医疗、核电站等领域。

公开(公告)号：CN115376716A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210967020.0

申请日：2022-08-11

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 李杨 ,  魏文静 ,  吴晓宏 ,  卢松涛 ,  洪杨 ,  秦伟

IPC: G21F1/06 ,  C23C24/10

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽中子和γ射线的高熵陶瓷氧化物涂层及其制备方法，属于特种功能涂层领域。本发明要解决单一性和实验繁杂性的问题。本发明的涂层是由5％～35％氧化铪、5％～35％氧化钆、5％～35％氧化铒、5％～35％氧化钐、5％～35％氧化镧、5％～35％氧化铈、5％～35％氧化钛、5％～35％氧化锡中的五种氧化物粉末制备的；方法：是取氧化物粉末混合后球磨，真空干燥，然后铺垫在金属基底上，惰性气体保护下激光熔覆。本发明应用于航天军工、核化工、放射性医疗、核电站等领域。

公开(公告)号：CN115215666A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210963872.2

申请日：2022-08-11

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 吴晓宏 ,  魏文静 ,  李杨 ,  洪杨 ,  卢松涛 ,  秦伟

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/622 ,  C09D7/62 ,  C09D163/00 ,  C09D5/32

Abstract: 本发明公开了一种屏蔽中子和γ射线的氮化硼/高熵陶瓷氧化物和复合涂层及其制备方法，属于防辐射领域。本发明要解决单一材料较难实现中子和γ射线的同时屏蔽的问题。本发明的A2B2O7型高熵陶瓷粉末中元素A是Gd、Er、Sm、La、Ce、Eu、Dy中的五种或者五种以上的元素组成，元素B为Hf；高熵陶瓷粉末表面包裹有氮化硼构成复合填料，所述复合填料和树脂形成复合涂层。本发明应用于航天器、放射性医疗、核反应堆等领域。