公开(公告)号：CN112038473B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202010941103.3

申请日：2020-09-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 隋解和 ,  陈晓曦 ,  郭逢凯 ,  蔡伟

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 一种全温域高性能的n型Mg‑Sb基热电材料及其制备方法，本发明涉及一种n型热电材料及其制备方法。本发明要解决现有n型Mg3Sb2基热电材料无法兼顾室温和高温同时获得高性能，且力学性能不佳的问题。全温域高性能的n型Mg‑Sb基热电材料的化学通式为BxMg3.2‑xSb1.99‑yBiyTe0.01；方法：一、称取；二、球磨；三、烧结。本发明用于全温域高性能的n型Mg‑Sb基热电材料及其制备。

公开(公告)号：CN112038473A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010941103.3

申请日：2020-09-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 隋解和 ,  陈晓曦 ,  郭逢凯 ,  蔡伟

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 一种全温域高性能的n型Mg-Sb基热电材料及其制备方法，本发明涉及一种n型热电材料及其制备方法。本发明要解决现有n型Mg3Sb2基热电材料无法兼顾室温和高温同时获得高性能，且力学性能不佳的问题。全温域高性能的n型Mg-Sb基热电材料的化学通式为BxMg3.2-xSb1.99-yBiyTe0.01；方法：一、称取；二、球磨；三、烧结。本发明用于全温域高性能的n型Mg-Sb基热电材料及其制备。