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公开(公告)号：CN104880161B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510341853.6
申请日：2015-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/30
Abstract: 一种利用椭偏参数测量固体材料表面粗糙度的方法，本发明涉及测量固体材料表面粗糙度的方法。本发明的目的是为了解决现有技术测量方法原子力显微镜速度慢、扫描电子显微镜需要测量样品能够导电以及光切显微镜精度不高的问题。通过以下技术方案实现的：步骤一、对不同固体材料粗糙表面特征参数进行模拟计算，即通过三维时域有限差分法求得该固体材料粗糙表面近场的空间电磁场分布；步骤二、通过近远场变换求得远场的复电场，计算镜反射方向的辐射偏振特性，并建立数据库；步骤三、当固体材料生产完成后，对该固体材料表面的光学椭偏参数进行测量，并与数据库比对，得到均方根粗糙度和自相关长度。本发明应用于测量表面粗糙度领域。
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公开(公告)号：CN104502282A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510030651.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法，本发明涉及偏振特性数值计算方法。本发明为了解决现有的技术未考虑不同位置处膜厚的不均匀性及工作量大、速度慢的问题。具体是按照以下步骤进行的：步骤一、在已知光子晶体结构参数的情况下，通过FDTD数值模拟方法，求得光子晶体上方的空间电磁场分布；步骤二、计算辐射偏振特性，用光学椭偏参数表示；步骤三、计算穆勒矩阵元素，建立数据库；步骤四、利用仪器对光子晶体表面的光学椭偏参数进行测量，并计算穆勒矩阵元素，然后与数据库对比，得到对应的光子晶体表面氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置。本发明应用于测量光子晶体表面氧化膜领域。
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公开(公告)号：CN104502282B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510030651.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 考虑光子晶体表面氧化膜分布的偏振特性数值计算方法，本发明涉及偏振特性数值计算方法。本发明为了解决现有的技术未考虑不同位置处膜厚的不均匀性及工作量大、速度慢的问题。具体是按照以下步骤进行的：步骤一、在已知光子晶体结构参数的情况下，通过FDTD数值模拟方法，求得光子晶体上方的空间电磁场分布；步骤二、计算辐射偏振特性，用光学椭偏参数表示；步骤三、计算穆勒矩阵元素，建立数据库；步骤四、利用仪器对光子晶体表面的光学椭偏参数进行测量，并计算穆勒矩阵元素，然后与数据库对比，得到对应的光子晶体表面氧化膜厚度及氧化膜分布不同位置。本发明应用于测量光子晶体表面氧化膜领域。
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公开(公告)号：CN104880161A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510341853.6
申请日：2015-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/30
Abstract: 一种利用椭偏参数测量固体材料表面粗糙度的方法，本发明涉及测量固体材料表面粗糙度的方法。本发明的目的是为了解决现有技术测量方法原子力显微镜速度慢、扫描电子显微镜需要测量样品能够导电以及光切显微镜精度不高的问题。通过以下技术方案实现的：步骤一、对不同固体材料粗糙表面特征参数进行模拟计算，即通过三维时域有限差分法求得该固体材料粗糙表面近场的空间电磁场分布；步骤二、通过近远场变换求得远场的复电场，计算镜反射方向的辐射偏振特性，并建立数据库；步骤三、当固体材料生产完成后，对该固体材料表面的光学椭偏参数进行测量，并与数据库比对，得到均方根粗糙度和自相关长度。本发明应用于测量表面粗糙度领域。
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