公开(公告)号：CN111441104B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202010163783.0

申请日：2020-03-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  赵海瑞

IPC: D01F9/08

Abstract: 一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法，具体涉及一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法。本发明的目的是为了解决现有制备CSiNB陶瓷的方法操作困难、成本高，且制备出的多为块体的问题，制备方法：一、预处理；二、配制硅源；三、负载催化剂；四、高温反应；五、酸洗；六、浸渍；七、焙烧；八、重复焙烧。优点：一、成本低、操作简单；二、调节碳纤维与硅源反应生成SiC的反应程度，从而能够进一步调整制备出的纤维的力学性能、导电性能；三、本发明制备出的CSiNB四元纤维在径向的元素分布具有梯度分布。本发明应用于高性能陶瓷纤维的制备领域。

公开(公告)号：CN111441104A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010163783.0

申请日：2020-03-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  赵海瑞

IPC: D01F9/08

Abstract: 一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法，具体涉及一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法。本发明的目的是为了解决现有制备CSiNB陶瓷的方法操作困难、成本高，且制备出的多为块体的问题，制备方法：一、预处理；二、配制硅源；三、负载催化剂；四、高温反应；五、酸洗；六、浸渍；七、焙烧；八、重复焙烧。优点：一、成本低、操作简单；二、调节碳纤维与硅源反应生成SiC的反应程度，从而能够进一步调整制备出的纤维的力学性能、导电性能；三、本发明制备出的CSiNB四元纤维在径向的元素分布具有梯度分布。本发明应用于高性能陶瓷纤维的制备领域。

公开(公告)号：CN111393178B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202010125246.7

申请日：2020-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  赵海瑞

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C09K3/00

Abstract: 一种SiCf@BN核壳结构短切纤维的制备方法，具体涉及一种SiCf@BN核壳结构短切纤维的制备方法。属于航空航天、吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域。本发明的目的是为了解决传统碳化硅短切纤维吸波性能较弱的问题，制备方法：一、预处理；二、浸渍；三、焙烧；四、重复焙烧，得到具有BN外壳的SiCf@BN。优点：一、成本低、操作简单；二、BN外壳的厚度可调节；三、具有优异的吸波性能。本发明应用于具有核壳结构的SiCf@BN的制备领域。

公开(公告)号：CN111393178A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010125246.7

申请日：2020-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  赵海瑞

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C09K3/00

Abstract: 一种SiCf@BN核壳结构短切纤维的制备方法，具体涉及一种SiCf@BN核壳结构短切纤维的制备方法。属于航空航天、吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域。本发明的目的是为了解决传统碳化硅短切纤维吸波性能较弱的问题，制备方法：一、预处理；二、浸渍；三、焙烧；四、重复焙烧，得到具有BN外壳的SiCf@BN。优点：一、成本低、操作简单；二、BN外壳的厚度可调节；三、具有优异的吸波性能。本发明应用于具有核壳结构的SiCf@BN的制备领域。