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公开(公告)号：CN102295472B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910310229.4
申请日：2009-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 一种呈等级孔结构且宏孔单向排列氧化硅陶瓷的制备方法，它涉及多孔氧化硅陶瓷的制备方法。本发明解决了现有的方法制备的氧化硅陶瓷的宏孔尺寸难以控制和比表面积低的问题。本方法如下：先将可溶性淀粉、聚乙烯醇和去离子水制成水溶胶，然后经定向凝固、冷冻干燥得到可溶性淀粉模板；再将可溶性淀粉模板浸入到由正硅酸乙酯、表面活性剂、盐酸、无水乙醇和去离子水制成溶液中浸渍；然后经烧结后得到呈等级孔结构且宏孔单向排列的氧化硅陶瓷。本发明制备的呈等级孔结构且宏孔单向排列的氧化硅陶瓷的宏孔单通道的平均尺寸为2～10靘，比表面积为500～840m2/g，可作为吸附剂、催化剂载体和多孔电极使用。
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公开(公告)号：CN101885618B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010257400.2
申请日：2010-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，它涉及一种结连接陶瓷件的方法。本发明解决了钎焊连接陶瓷件会在陶瓷与钎料之间形成热应力，影响陶瓷焊接件的稳定性，胶接方法中有机胶的耐高温性能较差的问题。本方法如下：用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料填满腔体，干燥，再烧结，机械加工，得到碳化硅陶瓷件。将采用本发明方法连接后的碳化硅陶瓷件使用手持式显微镜观察对接面之间部分及边界部分，很难辨别基体与后形成的反应烧结碳化硅。连接部分具有与基体相近的断裂强度，用显微镜对连接部位进行观察后发现连接部分与基体部分之间结合非常紧密，没有发现缺陷。
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公开(公告)号：CN102295472A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910310229.4
申请日：2009-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 一种呈等级孔结构且宏孔单向排列氧化硅陶瓷的制备方法，它涉及多孔氧化硅陶瓷的制备方法。本发明解决了现有的方法制备的氧化硅陶瓷的宏孔尺寸难以控制和比表面积低的问题。本方法如下：先将可溶性淀粉、聚乙烯醇和去离子水制成水溶胶，然后经定向凝固、冷冻干燥得到可溶性淀粉模板；再将可溶性淀粉模板浸入到由正硅酸乙酯、表面活性剂、盐酸、无水乙醇和去离子水制成溶液中浸渍；然后经烧结后得到呈等级孔结构且宏孔单向排列的氧化硅陶瓷。本发明制备的呈等级孔结构且宏孔单向排列的氧化硅陶瓷的宏孔单通道的平均尺寸为2～10靘，比表面积为500～840m2/g，可作为吸附剂、催化剂载体和多孔电极使用。
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公开(公告)号：CN101885618A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010257400.2
申请日：2010-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 反应烧结碳化硅陶瓷件的连接方法，它涉及一种结连接陶瓷件的方法。本发明解决了钎焊连接陶瓷件会在陶瓷与钎料之间形成热应力，影响陶瓷焊接件的稳定性，胶接方法中有机胶的耐高温性能较差的问题。本方法如下：用石膏板将碳化硅陶瓷件分瓣的待连接面所形成的空间包围，形成腔体，然后将用于制备碳化硅陶瓷的浆料填满腔体，干燥，再烧结，机械加工，得到碳化硅陶瓷件。将采用本发明方法连接后的碳化硅陶瓷件使用手持式显微镜观察对接面之间部分及边界部分，很难辨别基体与后形成的反应烧结碳化硅。连接部分具有与基体相近的断裂强度，用显微镜对连接部位进行观察后发现连接部分与基体部分之间结合非常紧密，没有发现缺陷。
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