公开(公告)号：CN105350112A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510890860.1

申请日：2015-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王威 ,  张欣桐 ,  石瑞莎 ,  崔福义

IPC: D01F9/08 ,  D01F11/08 ,  D01D1/02 ,  D01D5/00 ,  D01D10/02 ,  C08G61/12

CPC classification number: D01F9/08 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/93 ,  D01D1/02 ,  D01D5/00 ,  D01D10/02 ,  D01F11/08

Abstract: 聚噻吩类高分子/无机半导体体相异质结纳米纤维的制备方法，它涉及一种新型复合型光电材料的制备方法。本发明是为了进一步提高高分子光电材料的性能，方法如下：一、配制纺丝液：二、高压纺丝，热处理；三、将经过步骤二处理的纤维置于噻吩单体、3-己基噻吩单体或3，4-二氧乙基噻吩单体蒸汽中，在温度为25-120℃、气压为0.01-0.5个大气压的条件下，反应2-24小时，即得聚噻吩类高分子/无机半导体体相异质结纳米纤维。本发明的聚噻吩类高分子/无机半导体体相异质结纳米纤维在2V偏压下，光响应值可达2.27安/瓦。本发明属于纤维的制备领域。

公开(公告)号：CN105350112B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201510890860.1

申请日：2015-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王威 ,  张欣桐 ,  石瑞莎 ,  崔福义

IPC: D01F9/08 ,  D01F11/08 ,  D01D1/02 ,  D01D5/00 ,  D01D10/02 ,  C08G61/12

Abstract: 聚噻吩类高分子/无机半导体体相异质结纳米纤维的制备方法，它涉及一种新型复合型光电材料的制备方法。本发明是为了进一步提高高分子光电材料的性能，方法如下：一、配制纺丝液：二、高压纺丝，热处理；三、将经过步骤二处理的纤维置于噻吩单体、3‑己基噻吩单体或3，4‑二氧乙基噻吩单体蒸汽中，在温度为25‑120℃、气压为0.01‑0.5个大气压的条件下，反应2‑24小时，即得聚噻吩类高分子/无机半导体体相异质结纳米纤维。本发明的聚噻吩类高分子/无机半导体体相异质结纳米纤维在2V偏压下，光响应值可达2.27安/瓦。本发明属于纤维的制备领域。