公开(公告)号：CN105633363A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511011130.6

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 尹鸽平 ,  金继凯 ,  左朋建 ,  张瀚 ,  潘庆瑞

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/386 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种制备中空多孔的复合硅碳材料的方法，以氧化亚铜作为牺牲模板，在氧化亚铜包覆的纳米硅颗粒表面生长三维类沸石咪唑框架，同步刻蚀掉氧化亚硅后即得到中空多孔、蛋黄-外壳三维结构的硅碳复合材料。本发明制备的中空多孔的硅碳材料在热解碳外壳的内部预留出了给纳米硅颗粒膨胀收缩的空间，既保证了纳米颗粒不会团聚，也使得SEI大部分形成于碳壳之外，较为稳定，并且ZiF-8热解形成碳壳具有大量空洞，有利于材料的倍率性能。对比已报道的合成硅碳复合材料的方法，本方法的优势在于合成方法简单，原料廉价易得，制备的中空多孔的硅碳材料拥有较好的循环性能与比容量。