一种非球面熔石英元件表面微缺陷快速定位方法

    公开(公告)号:CN110411346B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201910740204.1

    申请日:2019-08-12

    Abstract: 一种非球面熔石英元件表面微缺陷快速定位方法,它属于工程光学技术领域。本发明解决了现有光学元件表面微缺陷检测效率以及定位准确率低的问题。本发明建立机床坐标系,根据待测熔石英元件的非球面的四条边界线在机床坐标系下的位置,来获得待测熔石英元件的非球面的几何中心在机床坐标系下的坐标;将待测熔石英元件移动至光谱共焦位移测距仪处,对待测熔石英元件的非球面表面的特征点进行测距,根据非球面表面的特征点坐标来拟合出待测熔石英元件的非球面在元件坐标系下方程;采用CMOS面阵相机采集图像后,将图像的二维信息还原至三维,从而获得待测熔石英元件非球面表面缺陷点的位置信息。本发明可以应用于光学元件表面微缺陷检测技术领域。

    一种非球面熔石英元件表面微缺陷快速定位方法

    公开(公告)号:CN110411346A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910740204.1

    申请日:2019-08-12

    Abstract: 一种非球面熔石英元件表面微缺陷快速定位方法,它属于工程光学技术领域。本发明解决了现有光学元件表面微缺陷检测效率以及定位准确率低的问题。本发明建立机床坐标系,根据待测熔石英元件的非球面的四条边界线在机床坐标系下的位置,来获得待测熔石英元件的非球面的几何中心在机床坐标系下的坐标;将待测熔石英元件移动至光谱共焦位移测距仪处,对待测熔石英元件的非球面表面的特征点进行测距,根据非球面表面的特征点坐标来拟合出待测熔石英元件的非球面在元件坐标系下方程;采用CMOS面阵相机采集图像后,将图像的二维信息还原至三维,从而获得待测熔石英元件非球面表面缺陷点的位置信息。本发明可以应用于光学元件表面微缺陷检测技术领域。

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