公开(公告)号：CN104927761B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510245661.5

申请日：2015-05-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  林亚男 ,  姜兆华 ,  李娜

IPC: C09K3/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法，它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法：一、混合得到混合物；二、反应得到反应物；三、分离干燥得到固体粉末；四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点：一、整个工艺简单，操作方便，使用设备简单，成本低，不会造成污染；二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题，制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑，包覆层致密均一；三、所用碳源原料廉价易得，可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度；四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。

公开(公告)号：CN104927761A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510245661.5

申请日：2015-05-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王志江 ,  林亚男 ,  姜兆华 ,  李娜

IPC: C09K3/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法，它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法：一、混合得到混合物；二、反应得到反应物；三、分离干燥得到固体粉末；四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点：一、整个工艺简单，操作方便，使用设备简单，成本低，不会造成污染；二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题，制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑，包覆层致密均一；三、所用碳源原料廉价易得，可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度；四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。