公开(公告)号：CN104962764A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510316633.8

申请日：2015-06-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高智勇 ,  杨哲一 ,  赵兵 ,  蔡伟 ,  孙立强 ,  章茂云

IPC: C22C1/02 ,  C22C14/00 ,  C22F1/18

Abstract: 本发明公开了一种航天非金属基复合材料结构连接用Ti-V-Al轻质记忆合金功能化处理方法，属于航天复合材料技术领域，本发明的方法是将电弧熔炼的Ti-V-Al合金铸锭固溶处理后进行热轧，到一定厚度后重新固溶处理并淬火，之后进行冷轧。对冷轧后的试样进行退火处理，即得到具有优异形状记忆效应的Ti-V-Al轻质记忆合金。本发明能大幅提高Ti-V-Al合金形状记忆效应，其完全可逆应变达到7.5％，是除TiNi合金外的最高值。经过热机械处理后的Ti-V-Al合金是一种在航空航天领域极具潜力的复合材料结构连接用轻质记忆合金。

公开(公告)号：CN104962764B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510316633.8

申请日：2015-06-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高智勇 ,  杨哲一 ,  赵兵 ,  蔡伟 ,  孙立强 ,  章茂云

IPC: C22C1/02 ,  C22C14/00 ,  C22F1/18

Abstract: 本发明公开了一种航天非金属基复合材料结构连接用Ti‑V‑Al轻质记忆合金功能化处理方法，属于航天复合材料技术领域，本发明的方法是将电弧熔炼的Ti‑V‑Al合金铸锭固溶处理后进行热轧，到一定厚度后重新固溶处理并淬火，之后进行冷轧。对冷轧后的试样进行退火处理，即得到具有优异形状记忆效应的Ti‑V‑Al轻质记忆合金。本发明能大幅提高Ti‑V‑Al合金形状记忆效应，其完全可逆应变达到7.5％，是除TiNi合金外的最高值。经过热机械处理后的Ti‑V‑Al合金是一种在航空航天领域极具潜力的复合材料结构连接用轻质记忆合金。

公开(公告)号：CN104388903A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410747824.5

申请日：2014-12-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑晓航 ,  王海振 ,  杨哲一 ,  高智勇 ,  蔡伟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/185

Abstract: 多元合金薄膜的单靶低成本制备方法，本发明涉及多元合金薄膜的制备方法。本发明要解决现有传统采用合金靶溅射工序复杂及效率低的问题。方法：制备复合靶材，将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，调节衬底与复合靶材之间的距离，抽真空，通入氩气，利用直流磁控溅射，以复合靶材作为阴极进行沉积，然后真空热处理，在真空条件下冷却至室温，最后将薄膜从衬底上剥离或放入去离子水中至衬底溶化，即得到多元合金薄膜。本发明用于多元合金薄膜的单靶低成本制备方法。