公开(公告)号：CN112858440A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110155170.7

申请日：2021-02-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 方海涛 ,  李瑞武 ,  李思佳

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管氢气传感器芯体。所述肖特基二极管氢气传感器芯体由四层结构和导电引线构成，四层结构依次是氢气裂解金属层、羟基扩散阻隔层、半导体层和集流体层，从氢气裂解金属层和集流体层分别引出导电引线。本发明中所述肖特基二极管氢气传感器芯体具有室温下抗湿度干扰的特殊性能，室温下气体环境中的水蒸气不会降低所述肖特基二极管氢气传感器芯体对氢气的灵敏度，克服了现有无羟基扩散阻隔层的普通氢气裂解金属层/半导体层肖特基二极管氢气传感器芯体在室温下湿度降低其氢敏性能的缺点。

公开(公告)号：CN112858440B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202110155170.7

申请日：2021-02-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 方海涛 ,  李瑞武 ,  李思佳

IPC: G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管氢气传感器芯体。所述肖特基二极管氢气传感器芯体由四层结构和导电引线构成，四层结构依次是氢气裂解金属层、羟基扩散阻隔层、半导体层和集流体层，从氢气裂解金属层和集流体层分别引出导电引线。本发明中所述肖特基二极管氢气传感器芯体具有室温下抗湿度干扰的特殊性能，室温下气体环境中的水蒸气不会降低所述肖特基二极管氢气传感器芯体对氢气的灵敏度，克服了现有无羟基扩散阻隔层的普通氢气裂解金属层/半导体层肖特基二极管氢气传感器芯体在室温下湿度降低其氢敏性能的缺点。