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公开(公告)号：CN103993475B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410228144.2
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/77 , D06M101/40
Abstract: 一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法，本发明涉及SiC纳米线的制备方法。本发明要解决现有SiC纳米线的制备方法存在成本高及纯度低的问题，且现有技术没有采用在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法。方法：一、混合；二、球磨；三、酸洗；四、水洗；五、超声分散及碳纤维的处理；六、干燥及真空炉处理，即得到包覆在碳纤维表面的SiC纳米线。本发明制备的包覆在碳纤维表面的SiC纳米线直径在10nm～50nm之间，长度能达到100微米以下，工艺简单、反应过程中不添加催化剂、成本低、转化率高、纯度高。本发明用于一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备。
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公开(公告)号：CN105002553B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510453648.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种真空环境中使用的环形电子束无坩埚区域熔炼装置，设有真空室，其特征在于所述真空室外设有电控系统，所述真空室内设有环形电子束发生器、底座、左立柱、右立柱、横梁、试样夹持机构和驱动装置，所述试样夹持机构是由下夹头和上夹头组成，本发明由于采用上述结构，具有结构新颖、制造成本低、生产效率高、性能稳定、熔炼温度高、温度梯度高、凝固速率精确可控等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116012606A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310035837.9
申请日：2023-01-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06V10/54 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种基于纹理引导的伪装目标检测方法及系统，包括采集待测图像并输入到训练好的伪装目标检测模型进行处理输出伪装目标检测结果；具体的：通过特征提取器提取待测图像的各层级特征图并输出至纹理监督模块，将首层特征图输出至目标纹理学习模块，将最高层特征图输出至语义融合模块；目标纹理学习模块根据首层特征图提取目标纹理特征图并输出至纹理监督模块；纹理监督模块根据目标纹理特征图和各层级特征图进行各层级的深层特征提取，获得各层级的深度特征图；语义融合模块根据最高层特征图和各层级的深度特征图，获得各层级融合特征，将各层级的深度特征图与高一层级的融合特征进行语义融合，输出伪装目标检测结果。
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公开(公告)号：CN104762529B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510180263.X
申请日：2015-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种用于制作搅拌摩擦焊具的Ni?Si合金及其制备方法，其特征在于将原子分数按百分比配比为Ni?(20?35% )Si的合金采用真空感应炉熔炼成金属间化合物基自生共晶复合材料，铸锭反复熔炼3次，保证母料成分的均匀性，用线切割将母料切成长度和直径不等的棒料，再采用无坩埚区域熔炼技术，制备定向生长Ni?Si金属间化合物基自生共晶复合材料试棒；制备完毕后，在真空中冷却，充气，取出试棒，该种材料的高温和常温的耐磨性良好，具备一定韧性，加工性能良好，采用该材料制备的搅拌头可用于钢、铜、钛等高熔点材料的搅拌摩擦焊。
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公开(公告)号：CN105002553A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510453648.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种真空环境中使用的环形电子束无坩埚区域熔炼装置，设有真空室，其特征在于所述真空室外设有电控系统，所述真空室内设有环形电子束发生器、底座、左立柱、右立柱、横梁、试样夹持机构和驱动装置，所述试样夹持机构是由下夹头和上夹头组成，本发明由于采用上述结构，具有结构新颖、制造成本低、生产效率高、性能稳定、熔炼温度高、温度梯度高、凝固速率精确可控等优点。
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公开(公告)号：CN104762529A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510180263.X
申请日：2015-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种用于制作搅拌摩擦焊具的Ni-Si合金及其制备方法，其特征在于将原子分数按百分比配比为Ni-(20-35%)Si的合金采用真空感应炉熔炼成金属间化合物基自生共晶复合材料，铸锭反复熔炼3次，保证母料成分的均匀性，用线切割将母料切成长度和直径不等的棒料，再采用无坩埚区域熔炼技术，制备定向生长Ni-Si金属间化合物基自生共晶复合材料试棒；制备完毕后，在真空中冷却，充气，取出试棒，该种材料的高温和常温的耐磨性良好，具备一定韧性，加工性能良好，采用该材料制备的搅拌头可用于钢、铜、钛等高熔点材料的搅拌摩擦焊。
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公开(公告)号：CN103993475A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410228144.2
申请日：2014-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/77 , D06M101/40
Abstract: 一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法，本发明涉及SiC纳米线的制备方法。本发明要解决现有SiC纳米线的制备方法存在成本高及纯度低的问题，且现有技术没有采用在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备方法。方法：一、混合；二、球磨；三、酸洗；四、水洗；五、超声分散及碳纤维的处理；六、干燥及真空炉处理，即得到包覆在碳纤维表面的SiC纳米线。本发明制备的包覆在碳纤维表面的SiC纳米线直径在10nm～50nm之间，长度能达到100微米以下，工艺简单、反应过程中不添加催化剂、成本低、转化率高、纯度高。本发明用于一种在碳纤维表面包覆SiC纳米线的制备。
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