公开(公告)号：CN104752704A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510201377.8

申请日：2015-04-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵九蓬 ,  李孟愈 ,  李垚 ,  郝健

IPC: H01M4/38

CPC classification number: H01M4/38 ,  H01M4/044 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M2004/027

Abstract: 一种利用离子液体电沉积制备多孔锗的方法，本发明涉及制备多孔锗的方法。本发明要解决现有方法制备出的锗基材料多为颗粒状，即使颗粒之间存在空隙，其空隙一般较小且无序不能很好的缓冲锗的体积膨胀，或者为块状等也无法提供较多的缓冲空间，同时传统的制备方法均存在制备成本高，不环保，工艺繁琐的问题。方法：一、氢气泡沫法；二、电极的清洗处理；三、电解槽的清洗处理；四、离子液体电沉积，即得到利用离子液体电沉积制备的多孔锗。本发明用于一种利用离子液体电沉积制备多孔锗的方法。

公开(公告)号：CN104752704B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510201377.8

申请日：2015-04-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵九蓬 ,  李孟愈 ,  李垚 ,  郝健

IPC: H01M4/38

Abstract: 一种利用离子液体电沉积制备多孔锗的方法，本发明涉及制备多孔锗的方法。本发明要解决现有方法制备出的锗基材料多为颗粒状，即使颗粒之间存在空隙，其空隙一般较小且无序不能很好的缓冲锗的体积膨胀，或者为块状等也无法提供较多的缓冲空间，同时传统的制备方法均存在制备成本高，不环保，工艺繁琐的问题。方法：一、氢气泡沫法；二、电极的清洗处理；三、电解槽的清洗处理；四、离子液体电沉积，即得到利用离子液体电沉积制备的多孔锗。本发明用于一种利用离子液体电沉积制备多孔锗的方法。