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公开(公告)号：CN108395256B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201810095817.X
申请日：2018-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/582 , C04B35/583
Abstract: 本发明涉及一种致密型富碳先驱体陶瓷的制备方法，所述方法包括如下步骤：将液态富碳先驱体进行第一次初步固化后球磨成粉末，得到富碳先驱体粉末；将富碳先驱体粉末与液态贫碳先驱体混合均匀，得到先驱体混合料，然后将所述先驱体混合料进行压制成型，得到先驱体混合物，再将所述先驱体混合物进行第二次初步固化，得到先驱体初步固化物；用液态贫碳先驱体浸渍先驱体初步固化物，然后在两个以上不同温度阶段进行固化，得到先驱体坯体；将先驱体坯体进行裂解，制得致密型富碳先驱体陶瓷。本发明提供了一种将富碳先驱体进行表面包覆的新方法，富碳先驱体与贫碳先驱体间能形成很好的结合，制备了一种致密度高、抗氧化性能强的致密型富碳先驱体陶瓷。
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公开(公告)号：CN108329034A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810097876.0
申请日：2018-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/582 , C04B35/584
CPC classification number: C04B35/571 , C04B35/581 , C04B35/589 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷，所述方法包括：将碳源与含Si-H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；将得到的混合液在65～80℃的条件下保温10～20h，得到混合料；将得到的混合料进行固化，得到固化产物；将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；将得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量，本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。
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公开(公告)号：CN108395256A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810095817.X
申请日：2018-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/582 , C04B35/583
CPC classification number: C04B35/589 , C04B35/5603 , C04B35/571 , C04B35/581 , C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种致密型富碳先驱体陶瓷的制备方法，所述方法包括如下步骤：将液态富碳先驱体进行第一次初步固化后球磨成粉末，得到富碳先驱体粉末；将富碳先驱体粉末与液态贫碳先驱体混合均匀，得到先驱体混合料，然后将所述先驱体混合料进行压制成型，得到先驱体混合物，再将所述先驱体混合物进行第二次初步固化，得到先驱体初步固化物；用液态贫碳先驱体浸渍先驱体初步固化物，然后在两个以上不同温度阶段进行固化，得到先驱体坯体；将先驱体坯体进行裂解，制得致密型富碳先驱体陶瓷。本发明提供了一种将富碳先驱体进行表面包覆的新方法，富碳先驱体与贫碳先驱体间能形成很好的结合，制备了一种致密度高、抗氧化性能强的致密型富碳先驱体陶瓷。
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公开(公告)号：CN108329034B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201810097876.0
申请日：2018-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/582 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及一种富碳先驱体陶瓷的制备方法及制得的富碳先驱体陶瓷，所述方法包括：将碳源与含Si‑H键的聚硅聚合物混合均匀，得到混合液；将得到的混合液在65～80℃的条件下保温10～20h，得到混合料；将得到的混合料进行固化，得到固化产物；将得到的固化产物依次进行粉碎、研磨和过筛，得到固化产物的粉末，然后将所述粉末进行压制成型，得到先驱体；将得到的先驱体进行烧结，制得富碳先驱体陶瓷；其中，所述碳源选自由二乙烯基苯、乙烯基乙炔基苯和二乙炔基苯组成的组。本发明方法能够显著提高先驱体陶瓷中碳含量，本发明制备的富碳先驱体陶瓷碳含量高、电导率高。
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