公开(公告)号：CN101298325B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810064757.1

申请日：2008-06-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王鹏 ,  史书杰 ,  曹海雷

IPC: C01B31/02

Abstract: 一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法，它涉及一种碳纳米管羟基改性的方法。它解决了现有技术对碳纳米管进行改性存在工艺复杂、反应时间长、能耗大及成本高的问题。改性方法：一、将碳纳米管浸没于碱溶液中，在微波、低压条件下加热，经冷却、沉淀后去除上层碱溶液，得沉淀物；二、沉淀物经清洗、烘干即得羟基改性的碳纳米管。本发明大大缩短了反应时间、工艺简单、耗能低、成本低。

公开(公告)号：CN101298325A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810064757.1

申请日：2008-06-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王鹏 ,  史书杰 ,  曹海雷

IPC: C01B31/02

Abstract: 一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法，它涉及一种碳纳米管羟基改性的方法。它解决了现有技术对碳纳米管进行改性存在工艺复杂、反应时间长、能耗大及成本高的问题。改性方法：一、将碳纳米管浸没于碱溶液中，在微波、低压条件下加热，经冷却、沉淀后去除上层碱溶液，得沉淀物；二、沉淀物经清洗、烘干即得羟基改性的碳纳米管。本发明大大缩短了反应时间、工艺简单、耗能低、成本低。