公开(公告)号：CN119602584A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411791407.0

申请日：2024-12-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐殿国 ,  支帅青

IPC: H02M1/08

Abstract: 一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路及驱动方法，涉及电力电子领域，该驱动电路通过参数配置匹配待控功率MOSFET寄生参数以提高适用性；在待控功率MOSFET关断过程中，所述电路控制栅极电压在高于米勒平台阶段快速下降、在米勒平台期间保持在米勒平台电压、在米勒平台至阈值电压阶段线性下降、在阈值电压以下快速下降，通过对栅极电压的连续精细控制实现漏源侧电压电流轨迹调控，解决了现有关断驱动电路难以在功率MOSFET器件关断过程中对栅极电压进行精细调控、无法对功率MOSFET漏源侧电压电流轨迹进行单独精细调控、难以在关断过程中同时满足低电压过冲和低关断损耗的目标、难以实现功率MOSFET器件尽限应用，导致难以满足电力电子装置高功率密度需求的问题。

公开(公告)号：CN119727690A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411791409.X

申请日：2024-12-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐殿国 ,  支帅青

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/16

Abstract: 一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路及驱动方法，涉及电力电子领域。其包括逻辑控制模块、参数调节模块、开通模块、关断模块、外部参数模块、外部栅极电阻，利用功率MOSFET跨导电容变化特性，通过其各个模块在开通和关断过程进行栅源电压波形斜率控制，分别实现开通过程漏源电流和漏源电压精细调控、关断过程漏源电流和漏源电压单独精细调控，使该架构实现对功率MOSFET开通过程的电磁干扰和开通损耗精细调控、关断过程的电压过冲和关断损耗精细调控；解决了当前功率MOSFET的驱动电路难以满足开通过程中低电磁干扰和低开通损耗、关断过程中低电压过冲和低关断损耗的目标，同时难以满足现代电力电子装置高功率密度需求的问题。

公开(公告)号：CN119698068A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411791404.7

申请日：2024-12-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐殿国 ,  支帅青

IPC: H10D89/10 ,  G06F30/392 ,  H01L23/528

Abstract: 一种功率MOSFET栅极驱动芯片的版图布局结构，涉及集成电路设计领域，它包括电源模块、电流镜模块、逻辑控制模块、偏置模块、开通模块和关断模块，所述开通模块包括充能NMOS组，所述关断模块包括泄放NMOS组；所述各模块通过第三金属导电层M3、第四金属导电层M4和顶层金属导电层TM1完成互联；所述版图布局中与端口VDD1和端口GND互联的顶层金属导电层TM1和第四金属导电层M4环绕版图布局，提供了良好的稳定性。所述版图布局结构中与端口Vout和端口GND2互联的顶层金属TM1在短距离下完成电气连接，在实现功能的基础上降低寄生电感和寄生电阻，实现高通流能力的同时缩小了版图布局所需面积，满足了业界厂商对电力电子装置的高功率密度需求。

公开(公告)号：CN119602585A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411791408.5

申请日：2024-12-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐殿国 ,  支帅青

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/44

Abstract: 一种可调控宽适应MOSFET开通栅极驱动电路及驱动方法，涉及电力电子领域。该电路在设计上不引入待控功率MOSFET漏源侧信息，仅通过对待控功率MOSFET栅极电压进行精细控制，实现待控功率MOSFET在开通过程中漏源电压、电流轨迹调控。该电路通过参数配置匹配待控功率MOSFET寄生参数以提升适用性，在待控功率MOSFET开通过程中，调控栅极电压在高于阈值电压阶段的电压上升斜率，从而实现漏源电压、电流轨迹调控，进而根据电力电子装置要求调控开通过程中漏源电流在反向恢复阶段产生的电磁噪声，解决了现有功率MOSFET驱动电路难以在开通过程中对栅极电压进行精细连续调控、无法在开通过程中使漏源电压和电流同时满足低电磁干扰和低损耗、难以满足电力电子装置高功率密度需求的问题。