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公开(公告)号：CN111876151A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010680138.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于色彩显示和生物成像的上转换荧光材料及其制备方法和应用。本发明属于材料科学领域。本发明解决现有掺杂发光材料普遍存在发光离子浓度低、光增益小、难以在单一波长激发下产生多色输出的技术问题。产品：是由Er2O3粉末和SiO2粉末经烧结而成的具有三原色及近红外上转换发光特性的稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7。方法：一、先将Er2O3粉末烘干，然后与SiO2粉末混合均匀；二、将混合粉末先烧结，然后研磨，研磨后再烧结，得到前驱体粉末；三、压片，压片后烧结，得到稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7。本发明的一种稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7作为发光材料应用于色彩显示或生物成像领域。本发明的材料发光离子浓度的提升有效地增大了荧光寿命，使其达到了135.4μs。
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公开(公告)号：CN117448938A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311448503.0
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法，涉及一种含Li的氧化物单晶生长装置及方法。装置由进气管、出气管、第一真空电极、第二真空电极、多层真空法兰、石英玻璃管、含铂电极的碳棒、石英盖、石墨坩埚、气罐、集气瓶、洗气瓶和井式炉构成；含Li的氧化物单晶生长的方法：将粉末状的原材料混合均匀得到混合粉末并放入石墨坩埚中，通入惰性气体并打开直流稳压电源，加热保温。本发明的设备操作简单方便，成本低廉，可以满足在不同气氛下生长单晶。通过本发明的装置可以使用熔盐电解法快速生长含Li的氧化物单晶，生长过程操作简单中且稳定性好，实验结果可重复性高。
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公开(公告)号：CN114657639B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011530106.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料及其制备方法。本发明属于负热膨胀材料及其制备领域。本发明的目的在于解决现有Fe2TiO4单晶样品不是化学整比，存在Ti缺位的技术问题。本发明的单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料为Fe2TiO4单晶。制备方法：将三氧化二铁、钛粉与二氧化钛混合均匀，然后在等静压机中压制成棒材，置入真空密封的石英管中，然后放在管式炉烧结，再将烧结好的预制体置于光学浮区炉中，在纯净的氩气气氛中生长单晶，得到磁致负热膨胀材料Fe2TiO4单晶。Fe2TiO4单晶在室温下是立方相尖晶石结构，当磁场超过1kOe时，其在2K～120K温度区间内表现出巨负热膨胀效应，可用于航空航天、机密机械制造等领域。
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公开(公告)号：CN114657639A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011530106.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料及其制备方法。本发明属于负热膨胀材料及其制备领域。本发明的目的在于解决现有Fe2TiO4单晶样品不是化学整比，存在Ti缺位的技术问题。本发明的单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料为Fe2TiO4单晶。制备方法：将三氧化二铁、钛粉与二氧化钛混合均匀，然后在等静压机中压制成棒材，置入真空密封的石英管中，然后放在管式炉烧结，再将烧结好的预制体置于光学浮区炉中，在纯净的氩气气氛中生长单晶，得到磁致负热膨胀材料Fe2TiO4单晶。Fe2TiO4单晶在室温下是立方相尖晶石结构，当磁场超过1kOe时，其在2K～120K温度区间内表现出巨负热膨胀效应，可用于航空航天、机密机械制造等领域。
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