公开(公告)号：CN118119256A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410272622.3

申请日：2024-03-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 隋解和 ,  师文静 ,  郭逢凯 ,  刘紫航 ,  蔡伟

IPC: H10N10/01 ,  C22C1/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  H10N10/851 ,  H10N10/853 ,  H10N10/85

Abstract: 一种方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有方钴矿基热电材料阻挡层与焊料的润湿性较差，需额外引入连接层Ni，从而引入额外的界面电阻问题。方法：一、制备方钴矿基n型块体材料及方钴矿基p型块体材料；二、制备Ni‑Cr混合粉；三、制备表面设有阻挡层的方钴矿基热电材料。本发明用于方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备。