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公开(公告)号：CN113759150A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111058085.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01Q60/30
Abstract: 一种电场耦合下KPFM原位测试二维材料异质结电学性能的方法，属于扫描探针显微镜成像领域。所述方法具体为：在带有300nm氧化层的硅片基底上利用热蒸镀的方法制备两个Cr/Au电极，两个电极之间的距离为5‑30um；通过键合机将金线与Cr/Au电极相连，随后金线直接与外接源表连接，利用外接源表对二维材料异质结施加直流电压，在外加电场的作用下利用扫描探针显微镜原位观察二维材料及其异质结构的形貌及其电学特性。本发明构筑了二维材料异质结构的器件，通过外接源表，原位测试二维材料及其异质结构在电场调控下其形貌与电学性能的变化，对理解分析二维材料异质结界面处能带排列及界面处的电荷转移机制具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113640158B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110981512.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种变温变载荷条件下材料电阻和力学性能耦合测试装置及其使用方法，它属于材料性能测试技术领域。解决现有无法实现同时测量压电材料在高温循环荷载作用下的力学性能和动态电阻变化的问题。装置包括电子万能试验机、加热及温度控制装置、电性能测试系统、上绝缘垫片、下绝缘垫片和绝缘套筒；方法：一、放置样品，搭接绝缘电极及温度监控热电偶；二、使上压头与上绝缘垫片接触并施加一定的预载荷；三、将绝缘电极连接于电性能测试系统，将温度监控热电偶连接于样品测温装置；四、启动加热及温度控制装置，检测样品所处环境温度；五、启动电子万能试验机，测试并记录样品的力学性能数据及电性能数据；六、得到电性能参数及机械性能表征。
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公开(公告)号：CN113759150B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111058085.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01Q60/30
Abstract: 一种电场耦合下KPFM原位测试二维材料异质结电学性能的方法，属于扫描探针显微镜成像领域。所述方法具体为：在带有300nm氧化层的硅片基底上利用热蒸镀的方法制备两个Cr/Au电极，两个电极之间的距离为5‑30um；通过键合机将金线与Cr/Au电极相连，随后金线直接与外接源表连接，利用外接源表对二维材料异质结施加直流电压，在外加电场的作用下利用扫描探针显微镜原位观察二维材料及其异质结构的形貌及其电学特性。本发明构筑了二维材料异质结构的器件，通过外接源表，原位测试二维材料及其异质结构在电场调控下其形貌与电学性能的变化，对理解分析二维材料异质结界面处能带排列及界面处的电荷转移机制具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113870922A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111144415.2
申请日：2021-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 一种基于GaSe/InSe异质结的光存储、电存储复合型器件及其制备方法，属于电子和光电子领域。所述复合型器件包括金属、二维硒化铟、二维硒化镓、栅极介质层。本发明器件采用但不限于机械剥离的方法获得二维纳米片，器件自下而上分别为栅极介质层、二维硒化镓和二维硒化铟层，金属电极与二维硒化铟层接触，金属电极采用但不限于热蒸镀的方法制备。本发明通过调节异质结界面处的能带排列及电荷转移的方式，构筑同时兼备电存储、光存储的GaSe/InSe多功能器件，具有永久光电流和负光电导存储特性，简化了器件结构，实现功能器件的集成。
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公开(公告)号：CN113640158A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110981512.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种变温变载荷条件下材料电阻和力学性能耦合测试装置及其使用方法，它属于材料性能测试技术领域。解决现有无法实现同时测量压电材料在高温循环荷载作用下的力学性能和动态电阻变化的问题。装置包括电子万能试验机、加热及温度控制装置、电性能测试系统、上绝缘垫片、下绝缘垫片和绝缘套筒；方法：一、放置样品，搭接绝缘电极及温度监控热电偶；二、使上压头与上绝缘垫片接触并施加一定的预载荷；三、将绝缘电极连接于电性能测试系统，将温度监控热电偶连接于样品测温装置；四、启动加热及温度控制装置，检测样品所处环境温度；五、启动电子万能试验机，测试并记录样品的力学性能数据及电性能数据；六、得到电性能参数及机械性能表征。
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公开(公告)号：CN218122019U
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202222501104.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于扫描探针显微镜的原位光电测试系统，涉及一种原位光电测试系统。本实用新型是要解决目前近场光学显微镜只能用于收集光束获得材料的光谱信息，缺少捕捉微弱电流信号的功能，不能对激光诱导的电荷产生和输运性能进行测试，无法实现高分辨率下光电性质的测量的技术问题。本系统由两个子系统组成，即扫描探针显微镜系统和引光系统；其中扫描探针显微镜系统能够用于表面形貌成像，表面电势分布成像，表面导电率成像；引光系统能够引入激光聚焦在样品表面激发，收集激光光斑的位置信息，激光聚焦位置可以精准地调节，激光可选，激光功率可调。
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