公开(公告)号：CN107226700A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710430686.1

申请日：2017-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  贾学勇 ,  孙扬善 ,  周玉

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/5833 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/584 ,  C04B35/583 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料及其制备方法，属于氮化硅基陶瓷复合材料的技术领域。本发明是要解决现有氮化硅基陶瓷材料生产过程中烧结温度过高、烧结压力过大、机械加工性能差导致成本高、效率低的技术问题。本发明的Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料是由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末、α‑Si3N4粉末和六方BN粉末制成的。制备方法：步骤一、以质量分数计，将1.0％～1.5％的MgO粉末、3.2％～3.8％的Al2O3粉末、5.0％～5.5％的SiO2粉末、0.01％～50％的BN粉末和余量的α‑Si3N4粉末混合、加入介质，球磨；步骤二、然后烘干后研碎，过筛；步骤三、再装入模具内，预压成型；步骤四、再在惰性气体保护下烧结，得到Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料。本发明应用于Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料的制备领域。

公开(公告)号：CN109053169A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810846254.3

申请日：2018-07-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  牛波 ,  孙扬善 ,  周玉

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/81 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/14 ,  C04B35/622 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/645 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种致密氮化硼晶须增强熔融石英复合陶瓷及制备方法，涉及一种熔融石英复合陶瓷及制备方法。目的是解决氮化硼晶须增强复合陶瓷相对密度低的问题。致密氮化硼晶须增强熔融石英复合陶瓷由氮化硼晶须和熔融石英制备而成，氮化硼晶须的质量分数为5～50％。制备：将氮化硼晶须均匀分散在酒精溶液中得到氮化硼晶须浆料，将熔融石英粉、酒精溶液和氮化硼晶须浆料混合、球磨、超声搅拌和干燥，得到混合粉体，混合粉体装入石墨模具并预压得到坯体；坯体热压烧结。本发明制备的致密的氮化硼晶须/熔融石英复合陶瓷，断裂韧性和相对密度提高，相对密度最大为99.8％，断裂韧性为1.6～3.4MPa·m1/2。本发明适用于制备熔融石英复合陶瓷。

公开(公告)号：CN108640690A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810785471.6

申请日：2018-07-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  牛波 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  孙扬善 ,  段文九 ,  李海亮 ,  段小明 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/645

Abstract: 一种定向传热六方氮化硼/堇青石织构陶瓷及其制备方法，涉及一种织构陶瓷及其制备方法。目的是解决h-BN织构陶瓷在垂直于片层方向和平行于片层方向的热导率相差小的问题。定向传热六方氮化硼/堇青石织构陶瓷按质量分数由h-BN粉体、MgO粉体、纳米Al2O3粉体和熔融石英粉体制备而成。制备：称取原料并将原料混合后进行蒸发干燥和过筛，然后装入石墨模具中预压得到坯体，最后进行热压烧结。本发明通过热压烧结技术制备具有织构特征的六方氮化硼/堇青石织构陶瓷，提高h-BN晶粒定向程度，从而使h-BN陶瓷定向传热，垂直于片层方向上和平行于片层方向上的热导率相差最高为12.2倍。本发明适用于制备织构陶瓷热防护材料。