公开(公告)号：CN113816382A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111363208.6

申请日：2021-11-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王平平 ,  康鹏超 ,  赵旗旗 ,  孙兆群 ,  辛玲 ,  陈国钦 ,  姜龙涛 ,  武高辉

IPC: C01B32/97

Abstract: 一种高效低成本制备超长SiC纳米线的方法，本发明涉及SiC纳米线制备方法领域。本发明要解决目前SiC纳米线合成过程复杂、成本高，且纳米线纯度低的技术问题。方法：一、硅粉氧化；二、SiC纳米线合成。本发明原材料廉价易得、工艺简单、烧结温度低，所得纳米线形貌均一且纯度高，直径为20～200nm，长度在微米级别，长径比远高于10:1。本发明用于制备SiC纳米线。

公开(公告)号：CN113860311B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202111347693.8

申请日：2021-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 康鹏超 ,  赵旗旗 ,  孙兆群 ,  王平平 ,  辛玲 ,  姜龙涛 ,  武高辉

IPC: C01B32/963 ,  C01B32/97 ,  C01B32/984 ,  C01B33/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于水煤气变换反应与碳热还原反应获得核壳结构纳米线的制备方法，本发明涉及核壳结构纳米线的制备方法领域。本发明要解决目前核壳结构纳米线制备工艺复杂、原材料和反应条件苛刻，产物纯度较低，氧化层厚度不可控的技术问题。方法：在高温高湿箱中对硅粉进行湿度氧化处理；在气氛烧结炉中与石墨合成核壳结构SiC纳米线。本发明所制备的核壳结构纳米线，具有氧化层厚度可控、界面处为原子尺度的紧密结合等优点。本发明用于制备核壳结构SiC纳米线。

公开(公告)号：CN113860311A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111347693.8

申请日：2021-11-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 康鹏超 ,  赵旗旗 ,  孙兆群 ,  王平平 ,  辛玲 ,  姜龙涛 ,  武高辉

IPC: C01B32/963 ,  C01B32/97 ,  C01B32/984 ,  C01B33/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于水煤气变换反应与碳热还原反应获得核壳结构纳米线的制备方法，本发明涉及核壳结构纳米线的制备方法领域。本发明要解决目前核壳结构纳米线制备工艺复杂、原材料和反应条件苛刻，产物纯度较低，氧化层厚度不可控的技术问题。方法：在高温高湿箱中对硅粉进行湿度氧化处理；在气氛烧结炉中与石墨合成核壳结构SiC纳米线。本发明所制备的核壳结构纳米线，具有氧化层厚度可控、界面处为原子尺度的紧密结合等优点。本发明用于制备核壳结构SiC纳米线。

公开(公告)号：CN113816382B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111363208.6

申请日：2021-11-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王平平 ,  康鹏超 ,  赵旗旗 ,  孙兆群 ,  辛玲 ,  陈国钦 ,  姜龙涛 ,  武高辉

IPC: C01B32/97

Abstract: 一种高效低成本制备超长SiC纳米线的方法，本发明涉及SiC纳米线制备方法领域。本发明要解决目前SiC纳米线合成过程复杂、成本高，且纳米线纯度低的技术问题。方法：一、硅粉氧化；二、SiC纳米线合成。本发明原材料廉价易得、工艺简单、烧结温度低，所得纳米线形貌均一且纯度高，直径为20～200nm，长度在微米级别，长径比远高于10:1。本发明用于制备SiC纳米线。