公开(公告)号：CN104076573B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410338950.5

申请日：2014-07-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田浩 ,  周忠祥 ,  姚博 ,  谭鹏

IPC: G02F1/29

Abstract: 电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，属于电光偏转器技术领域。本发明是为了解决现有声光衍射式偏转器对于光束的入射角度有要求，且对同一角度入射的不同波长的光波不能同时形成衍射偏转的问题。它将电光偏转晶体放置到待偏转光路中，使入射光束垂直入射于电光偏转晶体表面，所述入射光束的入射方向与电光偏转晶体的生长方向相垂直；沿垂直于电光偏转晶体生长方向施加外加电压，使电光偏转晶体沿生长方向形成渐变折射率梯度分布，进而使电光偏转晶体内部光波等相位面发生偏转，并在其输出端实现光束方向的偏转；所述外加电压的电场方向与光束的入射方向相垂直。本发明作为一种电光晶体偏转器。

公开(公告)号：CN104076573A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410338950.5

申请日：2014-07-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田浩 ,  周忠祥 ,  姚博 ,  谭鹏

IPC: G02F1/29

Abstract: 电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，属于电光偏转器技术领域。本发明是为了解决现有声光衍射式偏转器对于光束的入射角度有要求，且对同一角度入射的不同波长的光波不能同时形成衍射偏转的问题。它将电光偏转晶体放置到待偏转光路中，使入射光束垂直入射于电光偏转晶体表面，所述入射光束的入射方向与电光偏转晶体的生长方向相垂直；沿垂直于电光偏转晶体生长方向施加外加电压，使电光偏转晶体沿生长方向形成渐变折射率梯度分布，进而使电光偏转晶体内部光波等相位面发生偏转，并在其输出端实现光束方向的偏转；所述外加电压的电场方向与光束的入射方向相垂直。本发明作为一种电光晶体偏转器。