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公开(公告)号：CN102051657A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201110023904.2
申请日：2011-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米级Sn/SiC复合镀层的制备方法，涉及一种Sn/SiC复合镀层的制备方法。本发明是要解决目前纯锡镀层易生长锡须、机械性能差，以及常规纳米复合镀技术中纳米颗粒不易在阴极上共沉积的问题。制备方法：一、将SiC纳米颗粒用甲磺酸浸泡，然后加入分散剂，搅拌，之后依次加入甲磺酸亚锡、光亮剂、共沉积促进剂和主盐稳定剂组成电镀液；二、将阴极铜箔与纯锡阳极板平行放置于镀液中；三、调整阴极电流密度，机械搅拌和施镀交替进行，并始终保持压缩氮气搅拌，即完成纳米级Sn/SiC复合镀层的制备。制备的纳米级Sn/SiC复合镀层在抑制锡须生长、耐腐蚀性、硬度等方面都有显著提高。应用于可焊性电镀领域。
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