公开(公告)号：CN1004737B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN87102729

申请日：1987-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘振茂 ,  张国威 ,  张鹏俭

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/18

Abstract: 在对硅平面型功率晶体管管芯cb结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ce结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯cb结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。

公开(公告)号：CN87106017A

公开(公告)日：1988-04-06

申请号：CN87106017

申请日：1987-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘振茂 ,  张国威 ,  刘晓为 ,  陈德源

IPC: G01M3/06

Abstract: 用被检零部件和检漏系统构成一个可以充纳气体的腔体，再将此腔体浸没在试验液体(乙醇或水)中，给腔体充以压强为PG的气体(空气、氮气等)，当PG大于从漏孔产生气泡的临界压强Pγ0时，就从漏孔产生气泡而检出漏孔。采用气体的混合流模型分析气体通过漏孔的运动规律，得在此模型下气泡法检漏灵敏度R×1(漏率与漏孔长度乘积)与压强PG关系。本发明可应用于电子元器件以及有密封要求的其它装置的零部件密封性进行定量检测和定性筛选。

公开(公告)号：CN1013409B

公开(公告)日：1991-07-31

申请号：CN87106017

申请日：1987-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘振茂 ,  张国威 ,  刘晓为 ,  陈德源

IPC: G01M3/06

Abstract: 用被检零部件和检漏系统构成一个可以充纳气体的腔体，再将此腔体浸没在试验液体(乙醇或水)中，给腔体充以压强为PG的气体(空气、氮气等)，当PG大于从漏孔产生气泡的临界压强Pγ0时，就从漏孔产生气泡而检出漏孔。采用气体的混合流模型分析气体通过漏孔的运动规律，得在此模型下气泡法检漏灵敏度R×l(漏率与漏孔长度乘积)与压强PG关系。本发明可应用于电子元器件以及有密封要求的其它装置的零部件密封性进行定量检测和定性筛选。

公开(公告)号：CN87102729A

公开(公告)日：1988-04-06

申请号：CN87102729

申请日：1987-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘振茂 ,  张国威 ,  张鹏俭

IPC: H01L21/18

Abstract: 在对硅平面型功率晶体管管芯cb结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ce结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯cb结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。