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发明公开
一种兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118475211A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410254285.5

申请日：2024-03-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 隋解和 , 俞志远 , 郭逢凯 , 刘紫航 , 蔡伟

IPC: H10N10/01 , H10N10/852

Abstract: 一种兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法，本发明属于热电器件技术领域。本发明要解决现有Mg3(Sb,Bi)2基Zintl相热电材料化学稳定性较差的问题。方法：一、制备Mg3.2Sb0.5Bi1.49Te0.01Alx粉末；二、制备Fe箔/n型Mg3(Sb,Bi)2/Fe箔长条试件；三、制备Mg3(Sb,Bi)2/碲化铋制冷器件。本发明用于兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备。

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