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发明公开
一种研究SiC MOSFET电离总量和单粒子烧毁协同效应的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115238561A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210759795.9

申请日：2022-06-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨剑群 , 李兴冀 , 余雪强 , 吕钢 , 董尚利

IPC: G06F30/25 , G06F17/18

Abstract: 本发明提供一种研究SiC MOSFET电离总量和单粒子烧毁协同效应的方法，包括：对SiC MOSFET在不同偏置条件下进行电离总剂量辐照试验；记录电离总剂量辐照试验过程中所述SiC MOSFET的电性能变化数据，并分析提取所述SiC MOSFET的关键性能参数；将所述辐照SiC MOSFET进行单粒子烧毁试验，并分析单粒子烧毁试验与电离总剂量辐照之间的协同关系；通过仿真软件研究两者之间的协同作用。本发明通过比较不同条件处理后SiCMOSFET单粒子烧毁后的性能，总结SiC MOSFET的电离总剂量效应与单粒子烧毁效应的影响规律，从而研究两者之间的协同效应。

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