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公开(公告)号：CN114690298A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210284007.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于拼接原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，包括以下步骤：基于原子光刻技术在基板上进行一次原子光刻，获得原子光刻光栅样板；至少循环执行一次以下操作：利用光阑的限位作用，保持会聚光指向不变，将主透镜及当前的原子光刻光栅样板作为整体沿激光驻波场方向平移一段距离并固定，调整主透镜使返回的会聚光形成驻波场并与金属原子束待沉积区域存在重叠部分，在当前的原子光刻光栅样板上进行一次原子光刻；通过相邻次原子光刻光栅的无缝拼接，获得大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明有效地解决了自溯源光栅驻波场方向扩展的技术问题，并具备光栅无缝衔接，扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN113777685B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111002683.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 同济大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于原子光刻技术，采用原子束和激光会聚驻波场的相互作用，在基板上进行局部自溯源光栅结构制备；使用道威棱镜控制所述激光会聚驻波场沿垂直于光栅沟槽方向扫描沉积区域，逐步实现沉积区域自溯源光栅全局覆盖，形成大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明克服了由于汇聚能量密度降低导致的光栅边缘粗化等问题，具备操作简便，光栅面积扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN113777685A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111002683.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 同济大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于原子光刻技术，采用原子束和激光会聚驻波场的相互作用，在基板上进行局部自溯源光栅结构制备；使用道威棱镜控制所述激光会聚驻波场沿垂直于光栅沟槽方向扫描沉积区域，逐步实现沉积区域自溯源光栅全局覆盖，形成大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明克服了由于汇聚能量密度降低导致的光栅边缘粗化等问题，具备操作简便，光栅面积扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN114690298B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210284007.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于拼接原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，包括以下步骤：基于原子光刻技术在基板上进行一次原子光刻，获得原子光刻光栅样板；至少循环执行一次以下操作：利用光阑的限位作用，保持会聚光指向不变，将主透镜及当前的原子光刻光栅样板作为整体沿激光驻波场方向平移一段距离并固定，调整主透镜使返回的会聚光形成驻波场并与金属原子束待沉积区域存在重叠部分，在当前的原子光刻光栅样板上进行一次原子光刻；通过相邻次原子光刻光栅的无缝拼接，获得大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明有效地解决了自溯源光栅驻波场方向扩展的技术问题，并具备光栅无缝衔接，扩展空间大的优点。
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